仅两年便量产19纳米芯片，打破美韩技术垄断，长鑫的内存破局之路

2019年全球芯片半导体市场总份额达到了5000亿美元，其中存储器行业的规模约为22%，高达1155亿美元之多。

存储器也被称之为存储芯片，基本以DRAM内存和NAND Flash闪存两类为主。反观全球存储芯片市场基本形成了美日韩三国企业垄断的格局，2019年NAND Flash市场，韩国三星以34%的市场份额位居第一，日本东芝和美国西部数据分别以19%、14%的份额位居第二第三位。而在当年的DRAM内存市场上，韩国三星、海力士和美国美光半导体，分别以45%、29%、21%的市场份额位居行业前三。

随着国际半导体形势日趋严峻、风起云涌，2019年我国芯片的自给率仅为30%，而在2025年我们的目标是要实现70%的自给率，此时我们仅仅剩下不到5年的时间，为了在芯片供应上不被国外卡脖子，我们早已启动了深谋远虑的芯片布局之路，特别在存储芯片行业，主要有两条破局路线。

NAND Flash闪存芯片方面，2016年中国紫光集团在武汉创立了长江存储，两年后，国内首颗32层堆栈的闪存芯片问世，实现了我国闪存行业真正意义上从无到有的突破，2019年5月长江存储攻克64层堆栈闪存，当时全球领先的闪存为三星96层堆栈闪存，两者相隔仅一代的距离。2020年4月长江存储在自研Xtacking结构的基础上，不再按部就班，直接跳过96层堆栈的研发，率先发布了世界首颗128层堆栈的QLC闪存。与此同时长江存储在闪存芯片的产能上也没落下，2020年6月国家存储器二期基地正式开工，在一期基地产能的基础上，长江存储力求每月达到30万片的产能。

中国整个半导体行业在闪存芯片领域，一丝希望之光正在全力刺穿黑夜的迷雾。

而在DRAM内存芯片方面，以合肥长鑫为代表的国内半导体企业正在蓄势待发。

NANF Flash也被称之为非易失性存储设备，是存储硬盘的重要组成部件，可以在断电后仍然存储数据信息。而研发难度更高的DRAM内存，相当于系统的运行内存，只能在短时间内保存数据，如果突遇断电，存储的信息就会丢失，但是其读取数据的速度相较于闪存更快。

存储器业界内有这样一句话，能生产DRAM内存必定能生产NAND颗粒，可见DRAM研发的难度要更高一些。

而中国DRAM内存的兴起，是从继承和改进德国内存大厂奇梦达的技术开始。

2008年奇梦达攻克DRAM的关键技术——Buried Wordline堆叠式技术，当时在此基础上生产的46纳米内存，较上一代58纳米的产品，晶圆数量增加了一倍，但恰巧当年全球DRAM市场行情破跌，2009年由于资金问题奇梦达宣布破产，而Buried Wordline也被封存起来，这家拥有比肩三星海力士大厂内存专利和技术的公司，也侧面反映了整个欧洲存储器的衰落。

即使这样瘦死的骆驼比马大，奇梦达的Buried Wordline和上千万份DRAM技术，最终授权给来自中国的半导体企业长鑫。结合奇梦达的内存技术，2017年刚刚成立的合肥长鑫广纳人才进行技术创新，在这几年平稳将先前奇梦达封存的46纳米技术，推进到了10纳米级。但是合肥长鑫这个10纳米准确来说应该是1x纳米，因为当DRAM工艺突破20纳米的大关后，工艺制程再往前就逐渐遇到了瓶颈，所以内存厂商们就将20纳米以内的工艺区分为1x、1y、1z等制程节点，实际上1x相当于16至19纳米工艺，1y对应14至16纳米工艺，1z对应12至14纳米工艺。

目前美国美光和韩国SK海力士的DRAM工艺水平已经达到1z纳米，三星更是开始量产1z纳米内存，所以说长鑫仍然还有一段距离要走。但是目前全球DRAM内存从1z纳米之后往前推进也愈发困难，开发DRAM芯片的新材料是一种行之有效的方法，这段时间也是合肥长鑫的机遇期。

从2017年才开始成立的合肥长鑫，在不到两年时间内研制出了国产首颗19纳米的DRAM芯片，这就是DDR4内存芯片，2019年9月合肥长鑫正式开始量产DDR4内存，目前已经陆续开始向客户交付。而根据计划，在今年年底左右长鑫的目标是将产能拓展到每月4万片晶圆，产量预计将占据全球市场的3%，全力从美韩内存的铜墙铁壁中打开一条口子。

在此期间长鑫已经开始着手攻克17纳米工艺的DRAM内存芯片，计划将于2021年完成研发。在国内DRAM内存长期处于空白的关键时刻，合肥长鑫无疑像黑暗中的一丝曙光，引领着国内存储器厂商向前迈进。