北京
国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“MEMS器件的背腔偏移测试结构及测试方法、半导体器件”的专利，公开号CN122561818A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种MEMS器件的背腔偏移测试结构及测试方法、半导体器件，该背腔偏移测试结构包括：基底，基底包括第一表面和与第一表面相背的第二表面；背腔，自基底的第二表面贯穿基底；至少四个电容测试结构，每个电容测试结构包括测试振膜、第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘连接测试振膜的一端，第二焊盘连接测试振膜对应的基底，测试振膜部分位于背腔外侧，且测试振膜在基底上的投影与背腔在基底上的投影交叠；至少四个电容测试结构沿背腔的周向间隔设置，且每个电容测试结构相互独立。本申请可以监测光刻时背腔的偏移情况，提高器件的可靠性，同时节约生产时间和人力。
天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目1744次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息852条，此外企业还拥有行政许可43个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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