存储芯片史上最罕见的逆袭！

本周，国产存储双雄先后更新IPO进度，预计将在下半年先后登陆A股！

一旦上市，以它们当下的靓丽业绩，大概率将成为科创板的前三。

但回顾它们的来时路，每一步，都是惊心动魄，简直就是从死人堆里爬出来的。

毕竟，存储芯片是全球高科技产业的博弈棋局中，最残酷的赛道之一。

过去二十年，全球存储行业形成了极为稳固的垄断格局：

DRAM内存市场，韩美三巨头瓜分了全球95%的份额；NAND闪存市场，韩美日五巨头垄断超90%市场。

这种垄断格局的背后，是大量昔日巨头的破产、倒闭，大浪淘沙；

也是剩下来的这批王者，靠专利封锁、设备卡喉等铸造起来的强大护城河。

咱们中国，是全球最大的工业国，拥有最大规模的电子产业链，最大的消费市场。

但偏偏在存储芯片产业上，曾经自给率趋近于零。

十年前的2016年，中国芯片进口就高达2271亿美元，超过了石油进口的1166亿美元，跃升为最大进口商品。

而在那两千多亿美元的进口芯片中，存储芯片的占比高达三分之一。

手机、电脑、服务器，整个IT产业链的底座都被捏在海外巨头手中，一旦被封锁断供，后果不堪设想。

就是这个关键时候，中国落下了两枚至关重要的棋子：

合肥长鑫存储，专攻DRAM内存；

武汉长江存储，攻坚3D NAND闪存。

其实当时，还有一些其他企业同时进场了，譬如福建晋华，但它们最终没能扛过来。

十年风雨，十年血战。

只有这两家企业，在西方的封锁、打压、降价绞杀之下，硬是突围而出了。

很多人无法理解，为什么存储芯片国产化，比造手机、造屏幕、造普通芯片难上百倍。

因为存储芯片不是简单的芯片制造。

它是极致精密的材料科学、极致稳定的工艺控制、数百万项底层专利壁垒、高度封闭的设备供应链共同构筑的工业堡垒。

在长江存储、长鑫存储起步之前，西方早已完成了全产业链闭环封锁。

每一个环节，都筑起了壁垒，杜绝任何中国企业突围的可能。

第一重封锁：专利围墙。

在DRAM和传统2D NAND领域，三星、美光、SK海力士、铠侠，这些海外巨头通过数十年的研发，积累了数百万项基础专利。

这些专利层层嵌套、互相锁死，形成了密不透风的专利围墙。

任何一家新入局企业，只要敢走传统技术路线，要么侵权败诉、巨额赔款，要么直接被赶出市场。

海外巨头们长期奉行“专利围墙战略”，堵死了所有的低端追赶通道。

为什么现在几乎没有存储颗粒初创企业？

因为90%都死在专利诉讼和技术撞车上了，根本没有量产的机会。

第二重封锁：设备禁运。

存储芯片制造，高度依赖刻蚀机、薄膜沉积、离子注入、检测量测等半导体设备。

而在2016年国产存储起步之初，全球高端存储设备，几乎100%被美日企业垄断。

美国随时可以一纸禁令，切断所有的核心设备供应。

当时，福建晋华就是死在了这一步，轰然倒塌。

第三重封锁：技术人才。

存储芯片是超级经验学科，良率调试、工艺迭代、缺陷修复，全部依赖数十年产业积累的资深工程师。

过去，海外存储巨头均签订严格竞业协议、用高薪锁死核心人才，另加严禁技术人员流向中国。

这就造成了中国几乎没有成熟的存储研发人才梯队，一切必须从零开始摸索。

第四重封锁：价格绞杀。

这是最狠的杀招。

过去十年，存储芯片经历了两轮大熊市，尤其是2022-2024年，最大跌幅超过60%。

而这，恰恰是中国存储芯片双雄突破技术良率瓶颈，开始筹备扩产的关键时候。

结果就是，长江存储和长鑫存储在这三年里，合计亏损超过了500亿元，一度陷入资金链极度紧张的境地中，几乎被绞杀。

但在国家的支持下，他们最终挺过来了，并一步步壮大、崛起，成为中国存储赛道上最强大的两支生力军。

先看长鑫存储。

长鑫专注DRAM芯片，这是存储行业门槛最高、专利最密、巨头掌控最严的赛道。

相比于逻辑芯片，DRAM对工艺稳定性、漏电控制、一致性良率要求更高，稍有偏差就是整片晶圆报废。

在长鑫诞生前，全球DRAM产业已经完成多轮洗牌，被韩美三巨头完全垄断。

摆在长鑫面前的，是两条死路和一条险路。

第一条死路：跟随国际传统路径，从老旧的低端制程慢慢迭代。

这条路，会直接撞上海外的数万项基础专利围墙，起步就是侵权，永远陷于诉讼的汪洋大海之中，最终被淹死。

第二条死路：完全从零自研底层架构。

从零起步的话，研发周期将长达十年以上、需要千亿级投入，很可能在行业快速迭代的节奏中，尚未成型就被时代淘汰了。

以上两条路，风险都极大。

而长鑫存储，选择了一条更惊险的跃进之路。

他们趁着西方巨头们还没有足够重视，通过收购的方式获得了一批专利资产，既规避了专利雷区，又能迅速跳代切入主流制程。

收购的对象，是已破产的德国奇梦达。

奇梦达，是上一轮价格战中倒下的全球顶级DRAM巨头，拥有正统的DRAM底层架构、完整的工艺体系、两万余项核心专利、2.8TB工程技术文档。

这样稀缺的专利资产，放在今天的政治氛围中，那是中国绝无可能买到的了。

但放在当时，由于西方资本的轻视，让长鑫捡到了这个幸运的机会。

主导这次收购的关键人物，正是长鑫存储董事长朱一明。

朱一明拥有清华、硅谷背景，是兆易创新创始人，一手将兆易创新做大。

2015年前后，他想切入做DRAM芯片，但发现韩美三巨头的专利墙太厚了，自研肯定绕不开。

于是开始琢磨收购奇梦达的可能性。

奇梦达是前全球第二大DRAM厂，技术积累深厚，但在2009年金融风暴中倒下。

朱一明在存储芯片行业浸淫了十几年，自然知道奇梦达的价值，但苦于自身资金不足。

2016年，他接触了合肥国资，双方合资拿出180亿元，其中兆易创新出资36亿，合肥产投基金出144亿，成立长鑫存储，共同推进收购之路。

收购完成后，长鑫迅速整合技术资料、消化核心技术逻辑，一步步在其技术体系之上，自主迭代升级。

这一步，是长鑫最智慧与关键的破局之举。

由此得以跳过国际巨头已经淘汰的20nm以上老旧制程，一步到位切入19nm主流工艺，与三星、海力士同场竞技。

但避开了专利围墙，马上就面临设备封锁。

长鑫的建厂量产阶段，正是美国半导体制裁逐步升级的关键期。

结果显而易见，部分高端量测设备、精密工艺设备进口受限、交付延期、售后停摆，都是常态。

海外设备厂商一旦接到禁令，很快就会停止提供核心调试服务、禁止更新高端固件、严禁协助优化先进制程良率。

没有外援、没有技术支持，长鑫团队彻底进入闭门攻坚、自主摸黑迭代的状态。

DRAM的良率调试，是百万级参数的精细博弈。

温度、气压、流速、光刻精度、刻蚀速率、薄膜厚度、漏电控制，任何一个微米级偏差，都会导致整片晶圆报废。

2018—2019年，是长鑫最艰难的两年。

工程样片反复流片、反复失败，良率波动极大，成本居高不下，外界唱空之声也不断。

但长鑫研发团队选择了最笨的办法：

全流程复盘、全参数建数据库、全工艺自主迭代优化。

通过对数万组工艺数据的逐条拆解、上千次配方的迭代、日夜不间断的轮班调试，一点点修复缺陷、一点点拉升良率。

2018年7月，长鑫成功产出中国大陆第一颗自主可控8Gb DDR4工程样片，改写了“中国无DRAM芯片”的空白。

2019年9月，在西方全面技术封锁下，国产首条DDR4芯片产线正式规模化量产。

长鑫量产后，西方的绞杀进一步收紧。

第一招，专利诉讼。

韩美三巨头轮番发起专利排查、诉讼威胁，试图用司法手段拖垮长鑫的商业化进程，制造市场恐慌，吓退长鑫的合作客户。

但因为长鑫提前布局了专利池，依托自有迭代专利+合法继承的西方技术体系，硬生生扛住了西方的多轮诉讼，从此合法上桌。

第二招，价格绞杀。

2018-2019年、2022-2024年，海外巨头进行了两次大规模的降价倾销，DRAM价格断崖式下跌60%，行业进入超级寒冬。

尤其是第二轮寒冬，长鑫正处于扩产的关键时候，局面尤为严峻。

根据招股书的数据，长鑫2022年亏损了83.28亿元，2023年进一步扩大至亏损163.40亿元，2024年也亏损了71.45亿元。

三年合计，亏损高达318亿元。

关键时刻，依靠合肥国资和国家大基金的多轮融资、借款、专项增资，才度过了难关。

在最残酷的行业寒冬里，长鑫逆势打磨技术，完成了从19nm到17nm的工艺迭代，完成了DDR4到DDR5的产品升级，推出了LPDDR5移动端产品，开始研发尖端的HBM AI存储芯片。

熬过寒冬，方得春天。

进入2025年，长鑫迎来历史性盈利拐点，全年净利润超过300亿元，2026年Q1更是单季度净利润330亿元。

一下子，就将十年的投入和亏损全部赚回来了。

而这次的募资所得，预计将全部投入到产能扩张和尖端DRAM、HBM芯片的研发中。

两年之后，长鑫存储肯定将会是全球市场上最强大的存储芯片巨头之一。

我们再看长江存储。

如果说长鑫是惊险一跃，那长江存储走的就是换道超车之路。

跟长鑫类似，在长江存储起步之前，全球3D NAND的所有专利、工艺、设备、标准，也全部被海外五巨头牢牢锁死。

不一样的是，NAND赛道上没有长江可收购的海外资产。

但，长江有技术人才。

当时长江存储的CTO、首席科学家叫霍宗亮，是全球3D IC领域的技术天才。

他是北京大学的微电子学博士，毕业后就去了三星半导体研发中心任职高级工程师，深度参与2D NAND的技术研发。

2010年回国后，他去了中科院微电子所担任研究员、博导，进一步深入研究3D IC技术。

他很早就预判到，平面微缩的路线要走到尽头了，3D堆叠是唯一的出路。

2016年，长江存储创建，他就被邀请担任核心技术负责人、CTO，从零开始搭建3D NAND的研发体系。

他顶住了业界的质疑，在2017–2019年经历了238次实验，最终研发成功了Xtacking键合技术。

这是长江存储最伟大的突破。

在西方垄断的底层技术规则之上，重建了一套属于中国的全新技术体系。

要知道，在早期的全球NAND产业，所有企业都被困在这样的技术逻辑里：

想要提升存储容量，只能无限增加单片晶圆的堆叠层数。

层数越高、难度越大、良率越低、成本越高、瓶颈越明显。

如果跟着这个逻辑去研发，迟早都要陷进死胡同里。

而在霍宗亮的带领下，长江存储一开始就放弃了“单片堆叠层数”的内卷，走出了一条全新的道路。

长江存储独创的Xtacking架构，是这么干的：

将芯片拆分为两大核心模块：存储单元晶圆、外围逻辑电路晶圆。

两片晶圆分别用独立最优工艺加工，再通过高精度键合技术垂直互联。

这一下子，就绕过了西方数十万项传统架构的专利壁垒，跳出了海外巨头的专利牢笼。

更重要的是，突破了西方架构的物理极限：

加工难度大幅下降、芯片性能大幅提升、读写速度成倍增长、良率大幅拉高、成本显著降低、堆叠上限无限打开。

这套架构创新，对于NAND行业来说，是石破天惊的。

相当于光刻机进入浸没式DUV时代，CPU进入先进封装时代一样。

2018年，Xtacking架构亮相全球闪存峰会，直接斩获全球年度最佳创新技术，一下子就震惊了整个半导体行业。

当然，虽然长江存储一出生就掌握了业界最先进的技术，但发展路上依然伴随着最严苛的科技制裁。

在高端制程、超高堆叠、晶圆键合、精密检测等环节，美国持续收紧设备禁令，高端设备交付延迟、核心配件断供、技术服务全面停止，全部一一出现。

面对设备卡脖子的困境，长江存储被迫开启了极致的国产化替代、工艺攻坚的漫长苦战。

从2018年32层3D NAND初代产品艰难量产起步，长江存储一步步完成迭代：

2019实现64层Xtacking量产，换道起步；

2021实现128层技术更新；

2022完成232层量产，反超三星，成为全球首个进入零售市场的200+层方案；

2024推出294层技术，继续领跑。

截止2026年的今天，虽然SK海力士率先量产了321层更高堆叠层数的NAND芯片，但由于长江存储掌握独创的Xtacking技术，在高I/O速度、低功耗上仍然具有优势。

在2022—2024年的存储寒冬期，NAND芯片价格一度下跌了50%，长江存储也一度亏损了200多亿元。

但就跟长鑫一样，熬过黑暗的周期后，2025年长江存储首次实现全年规模化盈利，全球市场份额突破10%，跻身全球六大NAND厂商之一。

在这次IPO过后，预计长江存储将能募资300–400亿元，两年后把产能从20万片/月拉到50万片/月，同时把3D DAND从294层冲到400层，坐稳全球NAND的前三宝座。

除此之外，长江存储也在布局研发HBM芯片技术、企业级SSD主控领域。

很多人误以为，长江存储和长鑫存储是竞争对手。

事实上，他们是在不同赛道上突进的国产双雄。

长江攻坚NAND，解决的是数据存储、长期留存的问题，也就是俗称的硬盘。

长鑫攻坚DRAM，解决是设备运行、实时运算的问题，跟AI运算的关系更大，因此在这轮AI行情中受益更大。

但不管怎样，两条赛道都非常重要，缺一不可。

曾经，中国存储自给率几乎为零；

但经过十年奋斗，如今国产存储自给率已大为提升，关键民用领域实现自主可控。

国产存储行业也拥有了自主的技术体系、稳定的工艺体系、成熟的产业生态。

十年之间，山河巨变。

长江存储和长鑫存储从不同赛道出发，如今各自奔赴A股上市。

两三年后，还将在AI赛道兵家必争的HBM芯片上相遇，发起新一轮向韩美巨头的冲锋。

根据业内信息，长鑫存储将在2026年底大规模量产HBM3芯片，2027年推出升级16层堆叠的HBM3，2028年推出对标SK海力士最先进产品的HBM4。

而长江存储，将依托于自身先进的Xtacking技术，在2027年推出混合键合工艺的HBM3，并于2028推进大规模量产。

两三年后再回首，全球存储芯片版图必将再一次被中国人改写。