北京
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“共源共栅半导体器件”的专利，公开号CN122003813A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，半导体功率器件（400）（300）（200）（100）可以包括第一功率晶体管（408）（308）（208）（108），该第一功率晶体管被配置为产生输出电压。半导体功率器件可以包括第二功率晶体管（410）（310）（210）（110），该第二功率晶体管被配置为接收输入电压。第二功率晶体管以共源共栅配置连接到第一功率晶体管。半导体功率器件可以包括分压器电路（420）（320）（220）（120），该分压器电路连接到第一功率晶体管的栅极端子（105）和第二功率晶体管的源极端子（109）。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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