北京
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“晶体管及其制作方法”的专利，公开号CN122002895A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制作方法。该晶体管包括：沟道层、势垒层、第一栅极、第二栅极、第一电极、第二电极和介质层；第一栅极和第二栅极均包括P型氮化镓层、N型氮化镓层以及栅金属层；势垒层层叠在沟道层上，P型氮化镓层和N型氮化镓层依次层叠在势垒层上，介质层覆盖势垒层、P型氮化镓层和N型氮化镓层，第一电极、第二电极穿过介质层和势垒层接触，栅金属层穿过介质层和N型氮化镓层接触；沿第一方向a，第一电极、第一栅极、第二电极、第二栅极和第一电极周期排列，第一栅极和第二栅极电连接，所有的第一电极电连接，所有的第二电极电连接。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息1040条，此外企业还拥有行政许可42个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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