北京
国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN122002853A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。晶体管包括：衬底、异质结、电极组件和帽层，所述异质结包括依次层叠在所述衬底上的沟道层和势垒层，所述电极组件包括源极、漏极和栅极，所述源极和所述漏极位于所述栅极的两侧，且所述栅极、所述源极和所述漏极分别与所述异质结电连接；所述帽层位于所述势垒层的远离所述衬底的一侧，且位于所述漏极的靠近所述栅极的一侧，所述帽层与所述漏极接触且与所述栅极间隔布置。该晶体管的导通电阻较小且耐压性能较好。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息1040条，此外企业还拥有行政许可42个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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