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国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“垂直环形沟道三维晶体管及制备方法”的专利，公开号CN122002849A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种垂直环形沟道三维晶体管及制备方法，垂直环形沟道三维晶体管包括：M个堆叠层，其中，M为正整数，每一所述堆叠层包括依次沉积的氮化硅层、第一掺杂多晶硅层、氧化物层、第二掺杂多晶硅层；栅极结构，其中，所述栅极结构包括栅极电极，以及每一所述堆叠层分别对应的沟道区域和栅极氧化物；基于接触阶梯形成的M个源极和M个漏极，其中，所述接触阶梯是利用阶梯式工艺在所述M个堆叠层上形成的。通过上述方案，提高晶体管的密度和集成度，提升晶体管的容量，从而提高晶体管的处理能力。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息89条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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