北京
国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121925103A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制备方法。首先，在SOI衬底中刻蚀形成纵向至少贯穿顶部半导体层的沟槽；在沟槽的侧壁及底部形成隔离介质层后，选择性去除底部隔离介质层以暴露硅衬底；若沟槽底部位于埋氧层内，则在去除隔离介质层后继续刻蚀埋氧层直至暴露硅衬底；后填充重掺杂多晶硅或重掺杂外延单晶硅，形成与硅衬底达成欧姆接触的导电体；最后于导电体顶部形成金属接触结构。该结构集成了侧壁的隔离介质层与中心的导电体，实现了横向电隔离与纵向导电接地的一体化集成，显著提升了芯片的集成度与布局紧凑性，同时为SOI基高压器件同步提供高压隔离、稳定的电位参考与有效的散热路径，显著提升器件的耐压水平、抗干扰特性及工作可靠性。
天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目131次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1044条，此外企业还拥有行政许可129个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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