北京
国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管的外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN121843297A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种发光二极管的外延结构及其制备方法，其中，外延结构包括依次设置在衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂层、N型半导体层、有源层及P型半导体层，其特征在于，成核层为含铝组分的氮化物材料层，其中，成核层中铝的摩尔含量为30%以上。本发明通过生长含铝组分30%以上的成核层，利用铝原子迁移率低的特性，实现了在高温条件下的成核层生长，从而避免大幅度的温度变化，进而减少热应力的积累，有效抑制了衬底在生长过程中的翘曲现象，最终显著提升了外延结构的生长质量。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息647条，此外企业还拥有行政许可406个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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