【简讯】三星Galaxy S26系列定档2月26日；AMD将从AGESA过渡到openSIL…

三星Galaxy S26系列定档2月26日

2月11日，三星官方正式宣布，Galaxy Unpacked发布会将于2月25日举办，线上直播的北京时间2月26日凌晨2点。届时，三星Galaxy S26系列手机将正式发布，包括Galaxy S26、Galaxy S26+以及Galaxy S26 Ultra三款机型。

据悉，此次还将首发搭载三星自研Exynos 2600芯片，这是全球第一款量产出来的2nm手机芯片。Exynos 2600采用10核心设计，CPU包括1个3.80GHz超大核、3个3.26GHz大核以及6个2.76GHz小核，其单核成绩超过了3400分，多核成绩超过了1.1万分。不过，只有韩国当地和欧洲部分地区会采用Exynos 2600，其余地区标配高通骁龙8 Elite Gen 5。

三款机型配置信息如下：

屏幕/机身

S26：6.3英寸FHD+分辨率，尺寸149.6×71.7×7.2mm，重量167g；

S26+：6.7英寸QHD+分辨率，尺寸158.4×75.8×7.3mm，重量190g；

S26 Ultra：6.9英寸QHD+分辨率，尺寸163.6×78.1×7.9mm，重量214g。

三款机型标配Dynamic AMOLED 2X屏幕，支持120Hz刷新率与Corning Gorilla Armor 2玻璃防护，提供白、蓝、黑、紫四种基础配色。

芯片/存储

S26/S26+：三星自研Exynos 2600芯片/高通骁龙8 Elite Gen 5；标配12GB内存，提供256GB/512GB存储选项，无1TB版本。

S26 Ultra：全球市场统一搭载骁龙8 Elite Gen 5，内存规格升级至12GB/16GB，存储覆盖256GB、512GB及1TB。

影像

S26/S26+：后置5000万像素主摄（支持OIS）+1000万像素3倍光变长焦+1200万像素超广角，前置1200万像素，支持4K@60fps视频录制，硬件规格与前代基本一致。

S26 Ultra：后置2亿像素主摄（支持多向PDAF+OIS）+5000万像素5倍光变潜望式长焦+1000万像素3倍长焦+5000万像素超广角，影像硬件大幅升级，尤其长焦能力强化。

续航/充电

S26：4300mAh，25W有线+15W无线充电

S26+：4900mAh，45W有线+15W无线充电

S26 Ultra：5000mAh，60W有线+15W无线充电

全系不内置Qi2磁吸结构，需搭配专用保护壳实现Qi无线充电功能。

预装基于Android 16的One UI 8.5，支持NFC、Wi-Fi 7（be）、蓝牙5.4及多卫星定位（GLONASS、GPS等）。

AMD将从AGESA过渡到openSIL

AMD在2023年就已确认，未来将采用名为“openSIL（开源芯片初始化库）”的新方案取代现有的AGESA固件，以简化平台的UEFI固件创建流程。openSIL固件将支持今年发布的EPYC“Venice”服务器处理器，还有明年上半年Ryzen“Medusa”处理器，两者均基于Zen 6架构。

近日，波兰的开源咨询公司3mbdeb宣布，决定将openSIL固件移植到消费级AM5平台的产品，选定的是微星的B850-P Pro主板。3mbdeb强调，这只是“概念验证”，并非用于“生产用途”。理论上如果用户有兴趣，已经可以试用openSIL固件。

AMD最初打算在2024年末发布客户端“Phoenix”和服务器“Turin（EPYC 9005系列）”的概念验证代码，但是由于在获得开源代码的必要批准方面遇到了一些延迟，从而影响了原来制定的时间表。同样得益于openSIL固件对这些处理器的支持，让3mbdeb的项目得以进行。

AGESA的主要问题是代码闭源，阻止了用户出于安全目的、漏洞检测或其他目的检查固件代码，OpenSIL改为开源后，在代码检测和防范网络攻击方面取得了显著改进。按照AMD的说法，openSIL相比AGESA更易于扩展且更轻量，并支持不同的主机固件。

英特尔首次展示ZAM内存原型设计

前段时间，英特尔宣布与软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术。英特尔和软银表示，双方将聚焦下一代DRAM技术，以支持人工智能（AI）和高性能计算（HPC）日益增长的需求。

据Wccftech报道，英特尔院士兼政府技术首席技术官Joshua Fryman与英特尔日本首席执行官大野诚共同出席了Intel Connection Japan 2026活动。值得关注的是，英特尔刚确认与SAIMEMORY的合作，便展示了ZAM原型设计，并介绍了新款内存未来的发展方向。按照英特尔的说法，在ZAM项目中将承担“初始投资和战略决策”的职责。

ZAM的核心在于Z-Angle架构，有别于现有HBM硅通孔（TSV）的连接方式，其采用了交错互联拓扑结构，即在芯片堆叠内部以对角线方式进行连接，而非直接垂直钻孔。英特尔称，ZAM技术上相比现有解决方案最大的优势在于其热管理能力。

与HBM相比，ZAM可能的提升包括：

●功耗降低40%至50%

●通过Z-Angle架构简化制造流程

●每芯片存储容量更高（可达512GB）

华邦电子预计DRAM价格半年涨三倍

据TrendForce报道，华邦电子预计DRAM短缺将持续，2026年第一季度DRAM价格将飙升90%至95%，下个季度仍然保持上涨趋势，涨幅与本季度相当。对比2025年末，意味着半年左右的时间里，DRAM价格已经涨至原来的四倍。

除了价格疯狂上涨，目前DRAM的产能也十分紧张，华邦电子称今年和明年的产能已全部售罄，产线已满负荷运转。在价格和产能的推动下，华邦电子的营收也将看涨，投资机构预计其未来几个季度的利润将大幅增长。按照华邦电子的说法，其2026年第一季度的利润率可能超过46.9%。

华邦电子表示，现在DDR4供应缺口“大得难以想象”，而且“不知道如何去填补”。即便华邦电子不断扩产，资本支出创下历史新高，也难以赶上需求，供应紧张还将持续一段时间。

华邦电子指出，SLC NAND闪存现在面临更大的短缺，价格上涨速度超过了DRAM。

REDMI K90至尊版搭载主动散热

据最新爆料，今年上半年REDMI将正式进军风扇赛道，全新的K90至尊版将支持主动散热技术，这标志着小米旗下第一款支持主动散热的性能旗舰即将诞生。

对于厂商而言，要想实现高效的散热，手机内部不仅需要配置一颗微型风扇，还要设计出完整的进风与出风通道。通过这种强制对流的方式，系统能迅速把热量带离核心主板区域，从而实现快速降温。

因此，这类机型需要一套严密的散热系统设计来支撑。由于这些物理结构会不可避免地挤占主板和电池的内部空间，这就对厂商的精密堆叠能力提出了更高的要求。

此外，全新的REDMI K90至尊版在其他硬件配置上很有诚意。该机将采用一块超高刷屏幕，预计支持165Hz的刷新率。性能方面，它将搭载联发科天玑9500平台，并内置8500mAh的超大电池，配合100W有线快充，确保了强悍的续航与性能释放表现。

RTX 5060 Ti价格已接近RTX 5070

据ComputerBase跟踪的RTX 50显卡走势，多数显卡在1月份价格连续几周上涨，随后趋于平稳，甚至略有下降。但定位中端的RTX 5060 Ti 16GB价格走势异常坚挺，近期每日中位数价格已多次突破700欧元（约5757元人民币），逼近定位更高一级的RTX 5070。在此前的市场格局中，RTX 5060 Ti 16GB与RTX 5070 12GB之间通常保持约100欧元的价差。

不过最低价格仍然有较大的差距，数据显示，RTX 5060 Ti 16GB的最低价格约为550欧元，而RTX 5070 12GB的价格约为650欧元，但此类高性价比货源往往瞬间就售罄。

值得注意的是，ComputerBase表示，RTX 5060 Ti 16GB目前供货相对充足，尚未出现明显供应短缺，涨价更多源于NVIDIA新的产品优先级策略。

此前有消息称受限于GDDR7显存价格，NVIDIA或将暂时停止生产供应RTX 5060 Ti 16GB版本，保障更高端、利润更高的RTX 5070及RTX 5070 Ti系列的供应。虽然官方否认停产传闻，但NVIDIA将优先保障RTX 5060、RTX 5060 Ti 8GB及RTX 5070 Ti产能，这也间接推高其他型号溢价。

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