北京
国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“共源共栅级联型GaN器件”的专利，公开号CN121463522A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请提供了一种具有限流装置的共源共栅级联型GaN器件，包括高压耗尽型GaN-HEMT、低压Si-MOSFET以及限流装置，所述限流装置设置在所述高压耗尽型GaN-HEMT的栅极与所述低压Si-MOSFET的源极之间，其特征在于：所述限流装置包括由非GaN基肖特基势垒二极管构成的二极管元件，所述二极管元件与所述高压耗尽型GaN-HEMT集成设置。本发明扩展了GaN栅极限流装置的设计思路和实现方法，利用GaN天然的L-FER的二极管特性，实现不同程度的AllGaN集成。同时通过金属薄膜电阻的设计，实现了更稳定的Rg设计。此外，还利用GaN、Si异质异构集成工艺。实现GaN功率器件和Si栅极限流装置的深度集成。
天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息6条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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