北京
分享至
国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法”的专利，公开号CN121419223A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本申请涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括在沿第一方向水平延伸的沟槽中竖直延伸穿过竖直交替绝缘层级及存储器单元层级的数字线。所述数字线在所述沟槽中的个别者中包括数字线对。所述个别沟槽中的所述对在所述第一方向上彼此间隔开。在水平横截面中，所述对中的个别者中的所述数字线在所述个别沟槽的相对第二方向侧上在第二方向上彼此间隔开。提供(a)及(b)中的至少一者，其中(a)：在所述个别沟槽中的在所述对的第一方向紧邻者之间的竖直伸长空隙空间；或(b)：在所述第一方向上的在其底部比在其顶部宽的所述个别数字线。公开方法。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
