北京
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国家知识产权局信息显示，中国电子科技集团公司信息科学研究院申请一项名为“一种含能器件及其制备方法”的专利，公开号CN121419635A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种含能器件及其制备方法，该器件包括硅衬底、热激发含能层、加热电极和含能材料层；热激发含能层设置于硅衬底，热激发含能层包括多个不规则的微纳孔隙和填充于微纳孔隙的强氧化剂结晶物；含能材料层设置于热激发含能层；加热电极包括高阻热激发区、低阻电信号导线区和互连导电柱；高阻热激发区设置于热激发含能层背离硅衬底的表面；低阻电信号导线区设置于硅衬底背离热激发含能层的表面；互连导电柱依次贯穿硅衬底和热激发含能层并分别与高阻热激发区和低阻电信号导线区电连接。该器件改善从电热激发至引爆响应时间过长的问题，在引爆响应方面具备显著优点；加热电极的设置改善了含能器件的整体性能。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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