北京
国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121358276A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底的表面形成多晶硅层，对第二区域上方的多晶硅层进行离子注入，以形成掺杂多晶硅层；在多晶硅层上形成第一介质层；去除位于第一区域上方的多晶硅层和第一介质层，以露出第一区域的衬底表面；形成第二介质层；利用光刻工艺，在第二介质层上形成图案化的掩膜层，掩膜层定义预定形成的第一接触孔和预定形成的第二接触孔的图案；以掩膜层为掩膜，刻蚀第二介质层、衬底和第一介质层以形成第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔延伸至第一区域的衬底中，第二接触孔露出掺杂多晶硅层，对第二介质层刻蚀的过程中，第二介质层相对第一介质层具有更高的刻蚀选择比。
天眼查资料显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本398282.0957万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目62次，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可26个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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