高通押注台积电3nm N3X工艺打造Snapdragon X2 Elite Extreme芯片

高通面向笔记本电脑市场推出的首批 3nm 平台 Snapdragon X2 Elite 系列中，旗舰款 X2 Elite Extreme 被曝并未采用常见的 N3E 或 N3P 制程，而是转向以极限性能为目标的台积电 3nm N3X 工艺，希望在高电压与高频率下榨干单核与多核表现，以支撑其最高可达 5.00GHz、最多 18 核的高性能配置。

来自 Moor Insights & Strategy 的技术拆解显示，Snapdragon X2 Elite Extreme 采用类似苹果“统一内存”的 SiP 封装方案，把 RAM、存储等多种元件与 SoC 封装在同一模块中，通过 192 位内存总线、128GB 内存上限以及最高 9523 MT/s 的内存频率，将带宽拉高至 228GB/s，这一数字虽超过苹果 M5，但仍低于 M4 Pro 约 273GB/s 的水平。 整颗芯片集成晶体管数量约 310 亿个，N3X 相比 N3P 在高性能计算场景下可额外带来约 5% 的性能增幅，不过代价是晶体管密度和能效相对吃亏，高通也将 X2 Elite Extreme 设计在超过 1.0V 的工作电压上运行，以换取更高的频率空间。

在实际功耗设定上，这颗芯片在解锁功耗限制时可冲破 100W 阈值，在部分散热条件较好的笔电机身中则可长时间维持 40W 级别，以支撑高负载下的持续性能输出。 然而，目前公开的 Cinebench 2024 单核与多核测试结果显示，在同等条件下，X2 Elite Extreme 仍落后于苹果 M4 Max；在 GPU 端，面对 M4 Pro 在 3DMark Steel Nomad Light Unlimited、3DMark Solar Bay Unlimited 等合成基准中最高可达约 45% 的领先优势，高通这颗新旗舰同样处于下风，令业界对 N3X 带来的“极限性能红利”是否物有所值产生疑问。

从节点策略上看，高通此次选择 N3X，意味着首度有商用大规模芯片偏离 TSMC 目前主流的 N3P 路线，优先追求高频与峰值性能，而非面积和能效最优解。 报道认为，至少从目前有限的公开基准测试来看，这一选择尚未兑现预期中的“碾压式”领先，高通押注的极限性能路线是否能在更广泛的实际应用与整机设计中发挥优势，还需要后续更多机型与实测数据给出答案。