资金净流入超20亿涨幅达74%！半导体设备红利期来了

文丨吴新竹 编辑丨袁京力

半导体设备公司通过内涵式和外延式增长相结合的方式不断扩充产品品类，突破技术壁垒，股权融资推动上市公司做大的同时，也为未来的增长埋下伏笔。在下游旺盛的市场需求下，相关公司或将站上成长新起点。

2025年12月以来，半导体板块表现活跃，截至目前以长川科技（300604.SZ）、北方华创（002371.SZ）、拓荆科技（688072.SH）为代表的设备研发制造公司市场热度较高，主力净流入资金合计超20亿元。消息面上，多家公司推出股权融资方案，意图通过内生发展与外延并购相结合、持续拓展集成电路覆盖领域，向集团化和平台化方向迈进。

年初至12月下旬，板块个股市值平均增幅为74.20%，其中拓荆科技和长川科技市值增长超1.2倍。随着业务规模的不断扩大，相关公司在人才、管理、技术、研发等方面的资金需求日益增加，定增的实行助推经营规模扩张的同时，一定程度上可缓解研发支出压力。

在AI搅动半导体供需格局的背景下，多方观点认为，国产存储厂商未来几年或将呈现加速扩张的趋势，对上游半导体设备的需求提升；半导体设备细分行业将深度受益于高端制程工艺复杂度提升所带来的红利。

并购、定增密集发布

12月19日，中微公司宣布，正在筹划通过发行股份的方式购买杭州众硅电子科技有限公司（以下简称“杭州众硅”）控股权并募集配套资金。

中微公司的主要产品是等离子体刻蚀和薄膜沉积设备，属于真空下的干法设备。杭州众硅所开发的是湿法设备里面重要的化学机械拋光、刻蚀、薄膜和湿法等设备，该交易是上市公司拓展集成电路覆盖领域、向平台化公司迈出的关键一步。

长川科技定增预案于10月28日申请获深交所受理，12月16日，长川科技发布了修订版，拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过31.27亿元，其中拟使用21.92亿元用于半导体设备研发项目，9.35亿元拟补充流动资金。

长川科技始终专注于集成电路测试设备领域，拓荆科技则专注于高端半导体设备的自主研发与自主创新，形成多种薄膜设备系列产品。

拓荆科技于12月5日发布定增说明书申报稿，投资项目包括高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目和补充流动资金，前两个项目的建设期分别为5年和3年，分别拟使用募集资金15亿元和20亿元。

AI引领算力与存储芯片的需求激增，从半导体的终端市场来看，汽车电子领域受益于新能源汽车渗透率提升与智能化升级，车载芯片的需求持续扩容；手机、PC、可穿戴设备等终端产品呈现出高端化、智能化的趋势，对先进制程芯片、高容量存储芯片的需求不断攀升。

国金证券判断，随着AI大模型驱动存储技术向3D化演进，叠加长鑫、长存等国内存储大厂扩产项目落地，国产半导体设备产业链有望迎来新一轮高速增长机遇。

国际半导体产业协会预估，2025年全球半导体制造设备出货金额将增长7%至1255亿美元、2026年将进一步增长10%至1381亿美元；2026—2028年全球300mm芯片制造厂设备支出预计将达到3740亿美元，中国大陆先进工艺产能持续扩张，投资总额预计可达940亿美元。

快速做大

A股半导体设备公司扩张趋势显著，2025年初至12月下旬，板块个股市值平均涨幅为74.20%，其中拓荆科技和长川科技市值增长超1.2倍，北方华创和中微公司分别增长超60%和50%。

北方华创2025年上半年完成收购芯源微，进一步完善了在半导体装备领域的产品线布局，特别是在光刻工序配套装备方面与原有半导体装备业务形成协同。

薄膜沉积设备是重要的细分领域，国产厂商在工艺路线、应用场景上进行差异化布局。中微公司的薄膜设备以MOCVD为核心，主要面向LED外延等高温沉积领域；北方华创覆盖PVD、LPCVD、APCVD及Thermal ALD等多类工艺，产品矩阵丰富。

中微公司近三年在南昌和上海新建了生产和研发基地、设立新的研发中心，新增总面积将达42万平方米，较2022年新增15倍，同时规划在广州及成都建造新的生产基地。

这些基地的建设和投入使用，提升了中微公司的产能，支持该公司过往的高速发展，同时也为未来新产品的大规模生产和研发提供了基础。

中微公司计划在未来完成开发超40种集成电路的半导体薄膜设备，能够覆盖全部类别的先进金属应用，并规划、开展了PECVD和PVD设备的研发，产品已取得进展；计划未来5年全面覆盖刻蚀、薄膜计量检测业务，积极关注行业内的外延收并购机会。

相比于其他公司，拓荆科技的技术路径更为聚焦，以PECVD切入集成电路前道沉积市场，已在介质层、抗反射层及刻蚀阻挡层等关键工艺实现稳定量产。

该公司多款新产品已在先进制程芯片产线中导入并通过客户验证，爱建证券认为，拓荆科技的前瞻布局有望在高端制程中受益。

拓荆科技2022年上市后实现了内涵式增长，据Choice统计，2023年、2024年以及2025年前三季度，该公司的收入同比增长率分别达58.60%、51.70%和85.27%，前三季度营收规模达到42.20亿元。

该公司具有轻资产、高研发投入的特点，通过此次定增，提前围绕AI芯片带来的前沿技术要求进行设备创新与工艺开发。

长川科技的成长历程兼顾了外延式增长，2019年、2021年和2023年，长川科技实施过三次定增，募资净额分别为4.90亿元、2.77亿元和2.67亿元。其中，2021年定增重点开拓第二代全自动超精密探针台。

2019年和2023年分别收购了长新投资和长奕科技的控股权，巩固了该公司在测编一体机和晶圆光学检测机的市场地位，实现重力式分选机、平移式分选机、转塔式分选机的产品全覆盖。

2019—2022年长川科技的收入规模经历了快速扩张期，年同比增长率在70%—102%。2023年收入规模出现了短期下滑，2024年一季度起重拾快速增长。

2024年长川科技营业收入较上年同期增长105.15%，达到36.41亿元；2025年前三季度收入为37.79亿元，同比增长49.05%，该公司合并口径的资产负债率超过50%。2024年和2025年前三季度，该公司研发费用分别达9.67亿元和7.11亿元。

长川科技2025年募投项目拟通过购置研发设备，投入相应的研发人员、材料和其他必要资源迭代开发测试机、AOI设备，实施周期为5年，21.92亿元的投入一定程度上可缓解该公司的研发支出压力。

国产替代进入深水区

华泰证券预计，中国半导体设备国产化率有望从2024年的16%上升到2025年的25%。

从2025年三季报合同负债的情况来看，中微公司、拓荆科技和长川科技的余额分别为43.89亿元、48.94亿元和5354万元，较期初余额增长超过60%，合同负债在履约完成后将转化收入。

当前半导体产业正经历深刻变革，从传统硅基芯片向系统级芯片、人工智能芯片、先进封装等新兴领域加速拓展。不同类型的芯片在功能、性能以及应用场景等方面差异显著，对半导体设备提出了高度定制化与多元化的要求。

据泛林半导体测算，在此轮技术迭代中，刻蚀与薄膜沉积等关键设备的市场有望分别实现1.7倍及1.8倍的显著增长。国金证券认为，相关设备厂商将深度受益于工艺复杂度提升带来的红利。

2025年9月，中微公司推出六款半导体设备新产品，覆盖等离子体刻蚀、原子层沉积及外延等关键工艺，加速向高端设备平台化公司转型，该公司预计，新产品对未来市场拓展和业绩成长将产生积极的影响。

2025年前三季度，该公司的营收达到80.63亿元，其中刻蚀设备实现营收61.01亿元，同比增长约38.26%；薄膜设备收入4.03亿元，同比增长13.33倍。

其中，12英寸高端刻蚀设备已实现从65纳米至5纳米及更先进制程的量产应用，并获得国际主流客户批量采购；开发的部分设备已在先进3D NAND与DRAM存储芯片产线中大规模应用。

随着AI、云计算等新兴应用快速发展，存储芯片作为核心硬件的需求持续旺盛，三星、SK海力士等海外原厂执行严格控产策略，HBM及先进DRAM产能被锁定，导致常规存储市场面临显著供需缺口，推动相关设备采购需求增长。

北方华创近期表示，该公司存储设备和成熟制程设备订单保持良好态势，产品已广泛应用于国内主流芯片厂商生产线；在HBM芯片制造领域可提供深硅刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、电镀等多款核心设备。　

（本文已刊发于12月27日出版的《证券市场周刊》。文中提及个股仅为举例分析，不作投资建议。）