英飞凌10颗氮化镓器件可批量应用在工业恶劣环境

前言

充电头网了解到，英飞凌推出了共10款工业级CoolGaN™️，全部通过JEDEC工业应用标准验证。新产品涵盖低压与高压GaN，兼具高速开关、极低电荷参数、零反向恢复电荷、紧凑封装及优异散热性能，可显著提升系统效率、减少体积并降低BOM成本，为新一代高性能电源系统提供更高可靠性与更广设计自由度。

据了解，JEDEC工业应用标准是由固态技术协会制定的一系列规范，用于确保半导体器件在工业环境下的可靠性和稳定性。它涵盖器件的环境应力测试，例如如高低温循环、湿热老化、热冲击、封装与防潮等级规范、以及扩展温度范围内的电气性能要求。通过统一的测试和规范，JEDEC工业标准保证器件在苛刻工业条件下长期稳定运行。而英飞凌本次推出符合JEDEC工业应用标准的氮化镓器件可有效确保在恶劣环境工作稳定性。

英飞凌氮化镓器件

英飞凌推出10款工业级氮化镓，其中3款CoolGaN™ G3低压氮化镓，耐压覆盖100~120V，导阻覆盖2.7~9.4mΩ；7款CoolGaN™ G5高压氮化镓耐压覆盖600~700V，导阻覆盖66~330mΩ。

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获取英飞凌氮化镓规格书

简单看过英飞凌氮化镓功率器件产品规格书获取方式，充电头网继续为您介绍这10款器件的参数信息。

低压器件

英飞凌CoolGaN™ G3系列覆盖60V、80V、100V和120V电压等级，以及40V双向开关（BDS）器件，主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。

英飞凌IGB110S101

IGB110S101是一款100 V常关型emode功率晶体管，采用小型PQFN 3x3封装，可实现高功率密度设计。由于其导通电阻低，它是要求高电压和大电流应用中可靠性能的理想选择。

英飞凌IGC033S101

IGC033S101是一款 100V常关型 emode 功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。由于其导通电阻低，它是要求高电压和大电流应用中可靠性能的理想选择。

英飞凌IGC037S12S1

IGC037S12S1 是一款120 V常关型 emode 功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。由于其导通电阻非常低，它是要求高电压和大电流应用中可靠性能的理想选择。

高压器件

英飞凌CoolGaN™ G5氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计，该系列GaN氮化镓晶体专为各种工业与消费类应用中的最优散热性能而设计。

英飞凌IGI60L2727B1M

IGI60L2727B1M 结合了一个半桥功率级，该功率级由两个 270 mΩ（典型 Rdson）/ 600 V 增强型 CoolGaN™ 开关组成，带有集成栅极驱动器，封装为小型 6 x 8 mm TFLGA-27。在低至中功率领域（图 1 中的示例配置），因此非常适合支持利用 CoolGaN™ 功率开关优越开关特性设计高密度电机驱动器和开关电源（SMPS）。

英飞凌的 CoolGaN™ 及相关功率开关提供了非常稳健的栅极结构。当在“导通”状态下由几毫安的连续栅极电流驱动时，始终保证最小导通电阻 Rdson。

英飞凌IGLT65R055D2

在产品特点层面，IGLT65R055D2为一颗650V增强型功率晶体管、超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、66mΩ低导通电阻RDS(on)、顶部冷却封装、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于电信基础设施的AC-DC电源转换、AI数据中心、工业电源、USB-C适配器和充电器电源转换。

英飞凌IGOT65R055D2

在产品特点层面，IGOT65R055D2为一颗650V增强型功率晶体管、超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、66mΩ低导通电阻RDS(on)、顶部冷却封装、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于电信基础设施的AC-DC电源转换、AI数据中心、工业电源、USB-C适配器和充电器电源转换。

英飞凌IGT65R055D2

在产品特点层面，IGT65R055D2为一颗650V增强型功率晶体管、超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、66mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于电信基础设施的AC-DC电源转换、AI数据中心、工业电源、USB-C适配器和充电器电源转换。

英飞凌IGLD65R110D2

该器件在产品特点层面，IGLD65R110D2为一颗650V增强型功率晶体管、超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、140mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于电信基础设施的AC-DC电源转换、AI数据中心、工业电源、USB-C适配器和充电器电源转换。

英飞凌IGLR65R270D2

在产品特点层面，IGLD65R110D2为一颗650V增强型功率晶体管、超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、330mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于电信基础设施的AC-DC电源转换、AI数据中心、工业电源、USB-C适配器和充电器电源转换。

英飞凌IGD70R140D2S

该器件在产品特点层面，IGLD65R110D2为一颗650V增强型功率晶体管、超高速开关、无反向恢复电荷、可反向传导低栅极电荷、低输出电荷、170mΩ低导通电阻RDS(on)、底部冷却封装、通过JEDEC认证（JESD47、JESD22）；在应用领域层面，可用于电信基础设施的AC-DC电源转换、AI数据中心、工业电源、USB-C适配器和充电器电源转换。

充电头网总结

英飞凌此次推出的10款工业级CoolGaN™️产品实现了从100V到700V的全耐压覆盖，提供多种适用于同步整流、LLC/图腾柱PFC、DC-DC转换、电机驱动、机器人、电动交通、电信服务器电源及储能系统的解决方案。低压系列强调超低导阻与高速开关，高压系列则进一步强化了反向导通能力、工业级鲁棒性与适用于高密度拓扑的性能。所有器件均符合JEDEC工业级可靠性标准，能够在高温、湿热、冲击等苛刻环境中稳定运行，为高效率、小型化与高功率密度电源设计提供更全面、更可靠的选择，加速高性能电源系统向全氮化镓时代迈进。