南京理工大学徐勃Angew：双协同界面钝化实现高性能倒置结构钙钛矿量子点发光二极管

倒置结构钙钛矿量子点发光二极管（Pe-QLEDs）因其与n型薄膜晶体管驱动的有源矩阵面板兼容，在下一代显示技术中具有重要前景。然而，ZnO电子传输层与钙钛矿量子点之间的界面反应会导致严重的降解和荧光猝灭，限制器件效率和运行稳定性。

为此，南京理工大学徐勃和瑞典林雪平大学Glib V. Baryshnikov等人引入了一种双协同界面钝化策略，采用季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)（PETMP）作为多功能缓冲层。PETMP层通过两种协同机制解决界面不相容问题：（I）PETMP中的巯基与ZnO形成牢固的S–Zn键，钝化表面氧空位，改善薄膜形貌，降低电子注入势垒；（II）同时，这些巯基与Pe-QDs表面未配位的Pb离子配位，提高发光效率并抑制非辐射复合。该双协同钝化策略实现了倒置绿光Pe-QLED的最大外量子效率（EQE）达24.35%，是使用传统PVP缓冲层器件（EQE=12.61%）的两倍。

此外，该策略显著提升了器件的工作稳定性。本工作确立了基于PETMP的钝化方法在高性能倒置Pe-QLED及其他光电器件中的变革潜力。

文章亮点：

1. 双协同钝化机制：一端钝化ZnO，一端配位Pe-QDs
   PETMP的巯基同时与ZnO形成S–Zn键（钝化氧空位）和与Pe-QDs的Pb²⁺配位（提升发光效率），实现界面双重稳定。

2. 倒置绿光Pe-QLED效率创纪录：EQE突破24.35%
   器件性能远超传统PVP缓冲层（12.61%），是目前倒置绿光Pe-QLED的最高效率之一。

3. 全面性能提升：形貌、能级对齐、载流子平衡协同优化
   PETMP不仅提升薄膜平整度，还优化能级对齐、增强电子注入与载流子平衡，显著提升器件效率与运行寿命。

S. Liu, X. Li, C. Wei, A. Ali, J. Huang, X. Luo, W. Lu, G. V. Baryshnikov, B. Xu, Angew. Chem. Int. Ed. 2025, e202506002.

https://doi.org/10.1002/anie.202506002

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