破局SiC加工难题：CMP材料整体解决方案全解析

SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料，在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景，而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。

典型的SiC晶体加工过程主要分为切割、研磨和抛光三道关键工序。切割加工是第一道工序，占有很重要的地位，切割晶片的弯曲度Bow、翘曲度Warp、总厚度变化TTV决定了后续研磨、抛光的加工水平。研磨工艺的目的是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割导致的变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨 SiC切片的晶体表面。而抛光提高晶片表面光洁度和平整度，主要采用化学机械抛光(CMP)方式，利用化学腐蚀和机械磨损协同作用，实现晶片表面的全局平坦化。

不过，需要注意的是，要充分发挥SiC晶片的CMP抛光效果，关键在于工艺参数与抛光材料的精密协同。抛光液的化学成分、抛光垫的物理特性（硬度、孔隙率等）、抛光磨粒（如二氧化硅、氧化铈等）的选择及其相互作用至关重要。如何精确调控压力、转速、温度、抛光液供给率和pH值等各种参数，以实现物理磨削作用与化学反应去除的巧妙平衡，最终达成抛光效果（表面质量）与抛光速率（生产效率） 的双重优化，是产业内亟待深入探讨的核心议题。

作为泛半导体行业平坦化材料解决方案的资深提供商，浙江博来纳润电子材料有限公司拥有十余年的专业经验，在碳化硅衬底的切、磨、抛耗材上形成了一套整体解决方案体系。

碳化硅衬底切磨抛耗材整体解决方案

来源：博来纳润官网

2025年8月21日，中国粉体网将在苏州举办第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会。我们邀请到浙江博来纳润电子材料有限公司董事长兼总经理张泽芳并将带来《碳化硅CMP材料的整体解决方案》的报告。届时张总将详细介绍博来纳润针对碳化硅半导体材料所提供的CMP材料整体解决方案，欢迎报名参会！

报告老师简介

张泽芳博士，浙江博来纳润电子材料有限公司创始人，系中科院上海微系统与信息技术研究所博士，复旦大学博士后。先后荣获“上海市东方英才青年项目”、“上海产业菁英高层次人才--产业青年英才”、“山西省青年拔尖人才”等荣誉。拥有18余年的CMP材料研发、产业化经验，主导研发的蓝宝石、硅片、碳化硅CMP磨料、抛光液和抛光垫，性能与国外同期进口产品持平，推动了CMP材料的国产化，填补了多项空白。近年来在国际及国内刊物上发表CMP相关论文20余篇，授权发明专利10余项。

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