北京
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金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“形成氧化铟钼层的方法及相关氧化铟钼层”的专利，公开号CN120231022A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，提供了通过气相沉积形成氧化铟钼层(IMO)的方法。在一些实施例中，用于形成IMO层的循环沉积过程包括在反应室中交替且顺序地使衬底与气相铟前体、气相钼前体和一种或多种氧反应物接触。
本文源自：金融界
作者：情报员
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