北京
金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN119855202A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底；依次设于衬底上的缓冲层以及异质结结构层；其中，缓冲层包括多个沿平行于缓冲层所在平面间隔排布的离子注入区，离子注入区包括杂质离子。本公开在缓冲层间隔注入的杂质离子，可以增加或降低局部载流子浓度，对异质结结构层中的二维电子气进行空间电荷调制，从而在不同位置的异质结结构层形成不同的阈值电压，使器件沿沟道宽度方向逐步开启，可以减缓在较大漏极电流时跨导曲线的下降，从而提高器件跨导平坦度，进而改善器件的线性度。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息71条，专利信息285条，此外企业还拥有行政许可24个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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