北京
金融界 2025 年 4 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“提高器件长期使用可靠性的 SiC 器件”的专利，授权公告号 CN 222706894 U，申请日期为 2024 年 6 月。
专利摘要显示，提高器件长期使用可靠性的 SiC 器件，涉及半导体技术领域。本实用新型在沟槽栅 SiC MOSFET 的沟槽底部采用淀积介质的方式形成一层较厚的氧化物，减小了器件栅漏电极之间的耦合面积，从而减小了器件的栅漏电容，提高开关性能，并且淀积的氧化物将沟槽栅氧底部拐角填充，避免了常规沟槽栅 SiC MOSFET 在此处栅氧化层易引起电场集中而发生击穿失效的现象，提高了器件的长期使用可靠性。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币，实缴资本54231.5万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目164次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息704条，此外企业还拥有行政许可233个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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