北京
金融界2025年1月9日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“制造半导体器件的方法及半导体器件、存储器系统”的专利，公开号CN 119255608 A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本申请的实 施方式提供了一种半导 体器件的制备方法以及 半导体器件、存储器系 统。该方法包括：提供半 导体结构，其中，半导体 结构包括堆叠结构、贯穿 堆叠结构的接触连接部 和栅线缝隙结构，其中， 栅线缝隙结构沿堆叠结 构的堆叠方向具有凸出堆叠结构的凸起部，半导体结构还包括 覆盖堆叠结构、接触连接部和栅线缝隙结构的凸起部的半导体 层；去除至少部分半导体层，以暴露接触连接部及凸起部；去除 凸起部的至少一部分；以及形成覆盖半导体层、接触连接部和 栅线缝隙结构的介质层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1390次，知识产权方面有商标信息946条，专利信息4970条，此外企业还拥有行政许可1001个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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