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金融界2024年12月26日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“氧化物膜层制备方法、发光二极管及其制作方法”的专利，公开号CN 119177421 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本公开提供了一种氧化物膜层制备方法、发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该方法包括：将基底放入电子束真空镀膜机中向所述电子束真空镀膜机中通入氧离子热气流；使用电子束对蒸发源的氧化物原料进行蒸发，在所述基底上形成氧化物膜层。在制作氧化物膜层时，采用电子束对蒸发源的氧化物原料进行蒸发实现镀膜，在上述镀膜过程中，向电子束真空镀膜机中通入氧离子热气流。一方面，氧离子热气流能够带动被蒸发后的氧化物原料在电子束真空镀膜机内运动，使得被蒸发后的氧化物原料分散更均匀，从而使得镀膜厚度更均一；另一方面，氧离子能够与氧化物原料被蒸发后产生的离子结合，提高氧化物膜层中氧化物含量。
本文源自：金融界
作者：情报员
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