HBM大战三星暂落后 封装工艺会改道？芯片材料市场暗流涌动

财联社3月13日讯（编辑 刘蕊）在人工智能热潮之中，高带宽存储芯片（HBM）成为半导体巨头们的“兵家必争之地”。目前，SK海力士和美光公司在这一领域领跑，而全球最大的存储芯片制造商三星电子却暂时落在了下风。

在制造HBM芯片的道路上，困扰三星的技术难题之一，就是封装问题。目前，三星仍采用更为主流的非导电薄膜（NCF）技术，然而实际生产中的良品率却明显低于竞争对手SK海力士。

有知情人士昨对媒体透露，三星电子启动了新的芯片制造计划，将采用竞争对手SK海力士倡导的批量回流模制底部填充（MR-MUF）封装技术。三星作为全球存储半导体龙头企业，如果三星也引入MUF技术，那么MUF可能会成为主流技术，半导体封装材料市场也会发生巨大的变化。

不过周三早间，三星电子又发布声明称，关于三星将在其HBM芯片生产中应用MR-MUF技术的传言并不属实。

尽管消息被证伪，但三星和SK海力士在HBM封装技术上的分歧，以及对半导体材料市场的潜在影响，仍旧值得投资者持续关注。

NCF技术VS MUF技术

三星目前所采用的的NCF技术（非导电薄膜技术），是目前芯片制造商门制造HBM芯片时所广泛采用的、更为主流的技术。在这一技术工艺中，芯片制造商使用热压缩薄膜来连接芯片。利用热压缩薄膜，可以减少堆叠芯片之间的空间，从而在紧凑的HBM芯片组中堆叠多层芯片。

但随着芯片层数的增加，芯片制造变得愈发复杂，粘合材料也经常出现问题。各大芯片制造商一直在寻找解决这一问题的替代方案。

因此，SK海力士率先成功改用批量回流模制底部填充（MR-MUF）技术。简单的来说，MUF技术就是在将半导体芯片堆叠后，在其空间中注入液体形态的环氧模塑料并固化的封装工艺技术。

与NCF技术相比，MR-MUF 是一种更高效的工艺，并且散热效果更好，也有助提高HBM的性能。

使用MUF技术的半导体器件中的结点温度更低

在这一技术的帮助下，SK海力士成功成为第一家向英伟达提供HBM3芯片的供应商。KB Securities分析师杰夫•金（Jeff Kim）估计，在今年英伟达所采购的HBM3和更先进的HBM产品中，SK海力士所占的份额将超过80%。

三星已经明显落后

在SK海力士之后，美光上个月也成功“获选”，宣布其最新的HBM3E芯片将被英伟达采用，为后者的H200 Tensor芯片提供动力，该芯片将于第二季度开始发货。

而相比之下，三星的HBM3系列产品尚未获得向英伟达供货的资格。据几位分析师称，三星的HBM3芯片生产的良品率仅为约10-20%，而SK海力士的HBM3的良品率约为60-70%。

这一落后也体现在股价上：三星股价今年已经累计下跌7%，而SK海力士和美光同期分别上涨了17%和14%。

三星作为全球存储半导体龙头企业，如果三星也引入MUF技术，那么MUF可能会成为主流技术，半导体材料市场也会发生巨大的变化。然而，在三星否认这一消息后，该公司能否在近期快速突破封装技术瓶颈，将成为市场关注的焦点。

根据研究公司TrendForce的数据，在人工智能相关需求的推动下，HBM芯片市场今年将增长一倍以上，达到近90亿美元。