因环境污染、水电浪费等环保问题，台积电可能会进一步拓宽在美国的建厂业务，再建一座2纳米芯片代工厂。
我是柏柏说科技，资深半导体科技爱好者。本期为大家带来的是：2纳米建厂计划遭阻，台积电2纳米制程被三次喊停。台积电2纳米制程遭阻，将会半导体领域带来怎样的影响。
老规矩，开门见山。6月25日，新竹科学园展开第二期宝山用地工厂扩建环境评估，并召开第三次初审会议。专案小组历经三个小时的审议后，再一次否决了宝山扩建项目，并要求当地拟建厂单位在8月31前重新提交申请文件。
值得一提的是，新竹科学园对第二期宝山用地的扩建环保测评，与台积电计划投设的2纳米代工厂息息相关。据了解，台积电计划在当地投建的2纳米代工厂，将会创造出2500多个工作机会，工厂占地约90公顷。补充一点：第二期宝山用地扩建计划之所以被三次否决，是因为建厂带来的环境污染，以及对水、电等资源的浪费并未达到检查标准。
根据台积电此前公布的2纳米建厂计划，即2023年试产2纳米工艺，2024年实现2纳米芯片的量产。第二期工厂扩建环保测评迟迟不过关，将严重阻碍台积电的2纳米建厂计划。据业界分析，第三次会议是决定台积电能否进入环保评价大会的关键。这次否决，意味着台积电可能会更改原先制定的建厂计划。
值得一提的是，台积电不只是2纳米建厂项目遭阻，有关台积电的3纳米、5纳米以及在南京投建的28纳米芯片代工厂都不顺利。台积电在美国投设的3纳米、5纳米芯片代工厂因缺少我国生产的特殊钢筋，导致台积电在美国的建厂项目一直都没有明显进展。台积电在南京投设的28纳米芯片代工厂，因被美国卡住28纳米制程设备导致供应链投建项目一拖再拖。
如果排除竞争对手的威胁，建厂计划遭阻对于台积电来说并没有什么，只不过是市场份额提升快慢的问题。但三星一直都在台积电的背后虎视眈眈，台积电2纳米建厂计划遭阻，相当于给三星提供了追赶、持平的机会。
值得一提的是：有关GAAFET技术（环绕栅极晶体管）的应用，三星在3纳米制程中便使用了GAAFET技术。台积电的2纳米制程使用的是GAAFET技术，3纳米依旧是FINFET技术。补充一点，对比传统的FINFET，GAAFET的性能更优、功耗也更低。
虽说单凭GAAFET技术的制程应用，并不能代表三星的技术优于台积电。但在技术经验上，三星对于GAAFET技术的应用，并不比台积电差。回到台积电2纳米建厂计划这里。台积电2纳米建厂计划遭阻，将给国产半导体厂商带来怎样的影响呢？
对于国产半导体行业来说，台积电2纳米建厂计划遭阻，虽说能在一定程度上缓解我国芯片代工商在高端制程领域中的压力，但起到的作用并不大。毕竟我们距离实现7纳米及7纳米以下的先进芯片制程的目标还得有一段时间。
但从台积电在美国投设5纳米供应链，到台积电进一步投设3纳米供应链，再到台积电在美国额外投建一座晶圆厂的行为举止来看，台积电与美国半导体之间的联系越来越密切。换句话说，台积电2纳米建厂计划遭阻，反倒是给美芯半导体创造了机会。即台积电可能在美国投设2纳米代工厂。
这并不是没有可能，台积电在美国建厂，方便台积电进一步打开美国市场，提高市场份额。而且美国当地的基础建设，一定程度上能够促进台积电代工业务的发展。
如果台积电在美国投设2纳米芯片代工厂，将会在很大程度上提高美国芯片代工业务的水平，美国对台积电代工业务的掌控力度也会进一步增强。一旦美国在芯片供给链中掌握主导权，将会给国产半导体行业带来很大的冲击，特别是在高端半导体领域。
不过目前我们在半导体领域中也取得了许多不错的进展，尤其是在量子、石墨烯等新型领域中。有关于我们在硅基半导体领域中的进步，中国电子信息产业发展研究院，电子信息研究所所长温晓君在接受采访时表示：“我国将在2022年底完成14纳米制程的攻坚，完成14纳米制程芯片的量产”。
希望国产半导体厂商能够加快脚步，早日突破技术壁垒。祝愿国产半导体厂商愈发强大，在半导体领域中所向披靡。
对于专家三次喊停台积电2纳米代工厂建设计划，大伙有什么想说的呢？你认为台积电2纳米建厂计划遭阻，对大陆半导体是一件好事，还是坏事呢？欢迎在下方留言评论。我是柏柏说科技，资深半导体科技爱好者。关注我，带你了解更多资讯，学习更多知识。
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