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智微光子团队在微光微透镜技术研究中取得新进展 ——复合层级结构与干法刻蚀工艺突破光提取效率瓶颈

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(原标题:智微光子团队在微光微透镜技术研究中取得新进展 ——复合层级结构与干法刻蚀工艺突破光提取效率瓶颈)

智微光子研发团队针对微光器件光提取效率低的关键问题[1],提出“复合层级微透镜阵列”创新方案,并研发了两阶段干法刻蚀新工艺,实现微光器件宽光谱高效光提取,提升制造技术工艺精度、拓宽光谱响应范围,为低光场景目标识别、医疗成像等领域微光器件性能升级提供核心支撑。

一、传统技术局限

在微光器件的发展历程中,一直面临着全反射损耗、近红外响应不足、杂散光干扰等核心问题,如何改善这些局限并提升微光器件的性能,是微光器件行业备受关注的话题。微透镜阵列通过对光线的聚焦,能显著减少全反射损耗,提高填充系数,增强响应率。采用湿法刻蚀工艺制造的微透镜阵列(MLA)[2-4],因化学溶液扩散导致透镜侧壁陡直度<80°[5,6]、顶部易圆顶塌陷,且溶液浓度不均匀易形成粗糙的表面形貌,造成光提取效率损失;光刻胶热流法制备的曲面MLA依赖固定焦距[7]、适配波段有限且光刻胶稳定性差,密接阵列结构虽提升填充因子,但依赖柔性基底[8],与微光器件工作的高真空环境不兼容。

二、核心研究内容与技术方案

研究团队围绕“结构设计-工艺创新-性能优化”展开系统研究,通过复合层级结构设计抑制全反射,两阶段干法刻蚀保障精度,形成完整技术方案。复合层级微透镜阵列采用“基底微透镜阵列-散射增强层-低折射包覆层”三层协同架构(图1),基底选用8英寸石英玻璃(厚度625±25μm),其上MLA核心功能层单元直径D=3-10μm(优选5μm)[9]、冠高S=0.6-1.7μm(优选1.2μm,基于推导覆盖全波段需求)[10]、曲率半径R=1.5-21.1μm(优选3.2μm)[10],采用六方密堆排列使填充因子≥90.7%[11];在MLA表面原位生成2.5-4μm厚、团簇直径700-900nm的SiO₂纳米团簇散射增强层,其折射率与石英基底接近以减少界面反射,团簇直径匹配可见光至近红外波长,通过米氏散射提升宽角度光子捕获能力[12];在散射层表面沉积380-490nm厚[13]、折射率1.38 MgF₂的低折射包覆层,形成梯度折射率结构,在700-900nm波段平均透过率提升大于2%且增强机械强度[14]。

两阶段干法刻蚀工艺结合原位监测与温控补偿,粗刻蚀通入CF₄+Ar(4:1)混合气体实现1.5μm深度各向异性刻蚀以初步成型MLA轮廓[15],精修刻蚀采用SF₆+O₂(1:5-1:10)混合气体对六边形柱进行各向同性修饰[16],原位监测通过激光干涉仪实时采集干涉条纹反演参数[17],深度误差超±0.024μm时自动调整射频功率或气体流量,保障8英寸晶圆刻蚀均匀性;功能层制备中,散射层通过通入SiH₄+O₂混合气体生成SiO₂纳米团簇,包覆层采用磁控溅射MgF₂膜,后续经300-400℃氮气氛围退火消除残留应力、提升结构稳定性。

图1  (a)MLA阵列密排六方排布图;(b)MLA阵列示意图;(c)复合MLA结构剖面图

三、研究成果与性能优势

该技术提升了像增强器的光提取效率,运用两阶段干法刻蚀工艺对微透镜制造技术进行改进,在700-900nm宽光谱范围内平均光提取率相对提升80%[18];工艺精度上,8英寸晶圆内刻蚀深度偏差<±2%,高于传统湿法刻蚀的±3-5%[19],MLA单元尺寸偏差<±0.05μm,成品良率高,显著降低产业化成本;普适性方面,MLA单元可根据微光器件灵活调整,兼容高真空工作环境,适配高能物理、医疗成像、核探测等不同应用场景。

四、成果意义与展望

该研究通过复合层级结构设计与创新性地引入干法刻蚀工艺,首次实现微光器件“宽光谱-高精度-高稳定”光提取的协同优化,为光电探测器件的微纳结构设计提供新范式;未来,团队将进一步优化设计和工艺,拓展该技术在紫外探测、天文观测等领域的应用,推动微弱光探测技术的产业化升级。

五、参考文献

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