北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“分栅快闪存储器及其制造方法”的专利，公开号CN122602501A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种分栅快闪存储器及其制造方法。该存储器包括半导体衬底，其具有有源区和隔离结构，部分隔离结构表面低于有源区表面以暴露出部分有源区侧壁；第一介质层覆盖有源区顶部及暴露出的侧壁；浮栅位于第一介质层表面，包围有源区顶部及暴露出的侧壁，且具有尖端结构；极间介质层位于浮栅表面；控制栅位于极间介质层表面；第二介质层位于浮栅、极间介质层和控制栅的侧壁；字线位于第二介质层侧壁。本发明通过浮栅包围沟道增加了对沟道的控制，降低了穿通风险；利用浮栅尖端放电效应提高了擦除效率；工艺简单且与现有工艺兼容，提升了产品良率和可靠性。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2107条，此外企业还拥有行政许可119个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目931次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7901条，此外企业还拥有行政许可464个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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