北京
国家知识产权局信息显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司;屹唐半导体科技（北京）有限责任公司申请一项名为“等离子体源腔室”的专利，公开号CN122513913A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种等离子体源腔室，涉及半导体设备技术领域。等离子体源腔室，包括：主线圈；绝缘支撑架，用于安装主线圈；绝缘支撑架朝向主线圈的一侧设置有第一凹槽；绝缘支撑架还设置有与第一凹槽连通的第一孔；主法拉第屏蔽件，位于绝缘支撑架的一侧，且主线圈位于绝缘支撑架与主法拉第屏蔽件之间；调节组件，具有至少三个；其中至少三个调节组件沿绝缘支撑架的周向间隔且均匀分布；其中，调节组件包括：调节杆、球铰座及调节块；球铰座位于第一凹槽中；调节杆具有球形部；调节杆穿设在第一孔中，使得球形部的至少部分与球铰座配合；调节杆的一个端部与调节块螺纹连接，调节块还与主法拉第屏蔽件固定连接。
天眼查资料显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于北京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本295556万人民币。通过天眼查大数据分析，北京屹唐半导体科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目182次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息277条，此外企业还拥有行政许可95个。
屹唐半导体科技（北京）有限责任公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，屹唐半导体科技（北京）有限责任公司专利信息22条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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