北京
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国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有不对称单元边界的堆叠式FET”的专利，公开号CN122123139A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种半导体结构。该结构包括：第一单位单元，第一单位单元包括：第一组场效应晶体管FET，由第一栅极切割区域构成的第一单元边界，以及由第二栅极切割区域构成的第二单元边界；第二单位单元，第二单位单元包括：第二组FET，由第三栅极切割区域构成的第三单元边界，以及由第一栅极切割区域构成的第四单元边界；以及第三单位单元，第三单位单元包括：第三组FET，由第二栅极切割区域构成的第五单元边界，以及由第四栅极切割区域构成的第六单元边界，其中，第一栅极切割区域和第三栅极切割区域具有第一宽度，并且第二栅极切割区域和第四栅极切割区域具有大于第一宽度的第二宽度。还提供了形成该半导体结构的方法。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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