晶合集成申请半导体制备相关专利，本发明制备方法可提高刻蚀精度与工艺窗口

来源：新浪证券-红岸工作室

5月20日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法”的专利。申请公布号为CN122069999A，申请号为CN202610516789.9，申请公布日期为2026年5月19日，申请日期为2026年4月20日，发明人张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷，专利代理机构上海汉之律师事务所，专利代理师李友智，分类号H10P76/20、H10P50/28、H10P50/68、H10P50/00。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括：提供半导体初始结构；于半导体初始结构的表面形成图案化的第一光刻胶层，以图案化的第一光刻胶层为掩模，依次对第二掩模层和第一掩模层进行第一刻蚀处理，在第一掩模层上形成凹槽；于凹槽的侧壁上形成侧墙；于第一掩模层的表面依次堆叠形成第三掩模层和图案化的第二光刻胶层，图案化的第二光刻胶层包括至少一个光刻胶条，光刻胶条至少部分暴露凹槽对应的第三掩模层的表面；以图案化的第二光刻胶层为掩模，依次对第三掩模层、第一掩模层和多晶硅层进行第二刻蚀处理，得到半导体结构。本发明的制备方法可以提高刻蚀精度和第一刻蚀处理时的制程工艺窗口。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内领先的12英寸晶圆代工厂商，具备成熟的工艺技术和大规模量产能力，投资价值凸显。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用行业先进工艺，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，属于半导体产业、MiniLED、集成电路概念板块。

2025年，晶合集成营业收入为108.85亿元，在行业7家公司中排名第4，行业第一名中芯国际为673.23亿元，第二名华虹公司为172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。其主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排名同样是4/7，行业第一名中芯国际72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁2一种半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷3一种接触孔及其形成方法发明专利公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳4半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞5半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕6半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕7一种半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊8半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕9光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙10电性测试结构及其测试方法发明专利公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼11伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春12一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃13黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明14一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩15一种化学气相沉积设备及其温度控制方法发明专利公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄望望、王松、周丹玫、胡万春16铝衬垫制备方法及半导体发明专利公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕17一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛18半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀19半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健20套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平21半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛22LDMOS器件及其制备方法发明专利公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪23半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智24电容结构及其制造方法发明专利公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪25半导体测试结构及方法发明专利公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春26半导体测试结构及厚度测量方法发明专利公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋27图像传感结构、传感器及制备方法发明专利公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦28一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统发明专利公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟29机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610419232.32026-04-01CN121959064A2026-05-01李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清30一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610416662.X2026-04-01CN121968622A2026-05-01吴彬彬、朱瑶31一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610419234.22026-04-01CN121969040A2026-05-01牛昆龙、张晓亮32漏电测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610405431.92026-03-31CN121933982A2026-04-28李响、丁峰、芮倩、汪小小33一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610407639.42026-03-31CN121969039A2026-05-01何杨、张劲34静电放电保护器件及其制作方法发明专利公布CN202610409574.72026-03-31CN121968726A2026-05-01王维安、程洋35金属层图形预处理方法、修正目标图形及刻蚀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610399687.32026-03-30CN121934314A2026-04-28赵广、罗招龙36阶梯场板的制作方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610389259.22026-03-27CN121941093A2026-04-28王维安、程洋、朱敏37一种半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610385445.92026-03-27CN122028483A2026-05-12周纪、张伟、苏圣哲、运广涛、邵章朋38晶体管沟道制备方法及晶体管、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610380634.72026-03-26CN121941088A2026-04-28方晓宇、刁勤超、郭宜婷39半导体结构的制造方法和半导体结构发明专利公布CN202610380978.82026-03-26CN121968691A2026-05-01叶家顺、张浩、曹飞、董宗谕40金属互连层及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610371023.62026-03-25CN121908875A2026-04-21运广涛、吴燕、苏圣哲、罗钦贤41研磨时间的调整方法、研磨方法、装置、研磨机台及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610371912.22026-03-25CN121928457A2026-04-28李颖超、金文祥、陈义元、彭萍、王伟祥42一种电阻的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610361379.12026-03-24CN121899493A2026-04-21张培、季雨43MOS晶体管的电流比离群值判定装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610363491.92026-03-24CN121899472A2026-04-21牟田哲也44半导体结构及半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610360205.32026-03-24CN121908661A2026-04-21李猛猛45掩模图案的生成方法及装置、半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610345242.72026-03-20CN121888938A2026-04-17桑华煜、程洋、汪华46半导体结构的制造方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610339571.02026-03-19CN121908612A2026-04-21运广涛、赫文振、阮钢、苏圣哲47一种半导体器件的测试结构及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610330738.72026-03-18CN121865901A2026-04-14尚正阳、王维安、程洋48静态存储器的最小工作电压的调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610331131.02026-03-18CN121905249A2026-04-21田志锋49一种半导体器件及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610320005.52026-03-17CN121865655A2026-04-14尚正阳、王维安、杨宗凯50一种金属场板的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610324950.22026-03-17CN121865673A2026-04-14尚正阳、王维安

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