北京
国家知识产权局信息显示，天津蓝天太阳科技有限公司申请一项名为“一种高电压1064nm InGaAs激光电池”的专利，公开号CN122028510A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高电压1064nm InGaAs激光电池，所述激光电池的外延结构包括衬底，以及依次设置在衬底上的GaAs缓冲层、AlGaAs隧穿结、AlGaInAs渐变层、N‑1结GaInAs子电池、第N‑1层GaInP窗口层、第N结GaInAs子电池、第N层GaInP窗口层和GaInAs帽层，其中，在第一结GaInAs子电池到第N‑1结GaInAs子电池中，相邻两个GaInAs子电池之间自下而上设置有一层GaInP窗口层和一层AlGaInAs隧道结，当N≧9时，所述激光电池的开路电压可以达到7V以上。本发明采用利用In成分渐变AlGaInAs缓冲层，在GaAs衬底上生长GaInAs材料的1064nm激光电池优于多结808nm的激光电池。
天眼查资料显示，天津蓝天太阳科技有限公司，成立于2009年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，天津蓝天太阳科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目295次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息106条，此外企业还拥有行政许可116个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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