北京
国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种非对称波导结构的单模半导体激光器外延片制备方法及外延片”的专利，公开号CN122026227A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种非对称波导结构的单模半导体激光器外延片制备方法及外延片，属于光电子技术领域，对GaAs衬底在含砷烷气氛中高温热处理，随后依次在特定温度下，在衬底上生长GaAs缓冲层、N侧限制层、N侧波导层、N侧垒层、量子阱层、P侧垒层，完成P侧垒层生长后，再依次生长P侧波导层、第一P侧限制层、第一渐变耦合层、第二渐变耦合层、第二P侧限制层，最后在第二P侧限制层上生长GaAs欧姆接触层。通过设计非对称波导结构及插入特殊耦合波导层，强化单模特性，提高边模抑制比与光纤耦合效率；采用非对称结构设计降低光场损耗，提高内量子效率；梯度掺杂设计优化载流子传输，进一步提升器件光电性能。
天眼查资料显示，山东华光光电子股份有限公司，成立于1999年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6264.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华光光电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目604次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息808条，此外企业还拥有行政许可15个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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