北京
国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“图像传感器及其制备方法”的专利，公开号CN122002928A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供一种图像传感器及其制备方法，其中在制备方法中，先在层间介质层中形成沟槽，然后形成填充沟槽以及覆盖层间介质层的N型掺杂的外延层，接着通过离子注入工艺对层间介质层顶端的外延层进行反型掺杂，得到P型离子注入区，其中，P型离子注入区和层间介质层构成堆叠的隔离结构（光电二极管隔离区），沟槽中以及沟槽顶端的N型掺杂的外延层构成光电二极管的N型区，这样不仅可以突破传统隔离结构的对离子注入极高深度的限制，即，可以突破更小尺寸的像素单元的光刻和离子注入的工艺限制，还可以省略背照式图形传感器背面深沟槽刻蚀的工艺，大大降低了图像传感器的制造难度。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2943次，专利信息1988条，此外企业还拥有行政许可117个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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