北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“电熔丝存储单元及存储阵列”的专利，公开号CN122002803A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种电熔丝存储单元及其存储阵列，电熔丝存储单元的控制管及熔丝形成在同一有源区，其长条形多晶硅熔丝位于MOS控制管的一侧，一端和最近的MOS控制管漏端重掺杂区一端短接，大幅缩小了电熔丝存储单元面积，并且便于以中心对称的方式组成存储单元对直接进行组合布局组成存储单元阵列，能减少存储阵列的版图面积，明显提高该电熔丝存储单元构成存储阵列的版图效率。另外，采用长条形多晶硅作为熔丝，易于制造且便于管控品质，编程时电迁移均匀可控且编程完成后可靠性高。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2081次，专利信息2761条，此外企业还拥有行政许可400个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
