北京
国家知识产权局信息显示，浙江丽隽功率半导体有限公司申请一项名为“一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法”的专利，公开号CN121865668A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体器件领域，具体是一种高压功率器件的终端扩展结构及其制备方法。该结构设置于有源区外围，包括一个掺杂浓度梯度经过优化的JTE区，以及多个设置于其外围、形状为曲线多边形且占用面积逐级递减的场环。其制备方法关键在于采用多次离子注入来稳定JTE区的掺杂浓度。本发明通过结合优化的JTE和场环设计，协同解决了传统场环终端面积过大和JTE电场分布不均的技术难题，显著减小了终端面积，均匀了电场分布，避免了局部峰值和场板末端电场尖峰，从而大幅增强了终端结构的耐压性、稳定性和可靠性。
天眼查资料显示，浙江丽隽功率半导体有限公司，成立于2022年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江丽隽功率半导体有限公司参与招投标项目1次，专利信息4条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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