兴福电子申请硅基杂质检测相关专利，硅基前驱体检测前处理，降检出限提效率

来源：新浪证券-红岸工作室

4月16日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种高纯电子级硅基前驱体材料微量金属杂质检测前处理方法”的专利。申请公布号为CN121855989A，申请号为CN202511859439.4，申请公布日期为2026年4月14日，申请日期为2025年12月10日，发明人李少平、万富强、杨着、贺兆波，专利代理机构湖北三峡专利代理事务所（普通合伙），专利代理师王玉芳，分类号G01N1/44、G01N1/42、G01N1/28、G01N1/40、G01N27/626。

专利摘要显示，本发明公开了一种高纯电子级硅基前驱体材料微量金属杂质检测前处理方法。采用蒸干‑复溶路线：将液态样品在超纯PTFE/PFA烧杯中加热挥发，以电子级无机酸‑有机酸复合酸体系复溶。通过专用加热板实现均匀加热，配合百级无尘环境及洁净操作台及尾气冷凝收集系统处理前处理挥发有机废气，同时可通过前处理样品用量与复溶无机酸的用量比例实现不同程度的金属杂质浓缩，有效将检出限降至1‑5ppt，金属杂质检测前处理方法回收率达85%‑115%。该方法突破传统水解、消解法的前处理时间长、硅碳残留以及前处理剧烈反应导致金属损失等缺陷，处理时间缩短至2‑4小时，有效解决G4/G5级（单金属<10ppt）检测需求，为先进制程高纯硅基前驱体的杂质管控提供高灵敏度、低本底干扰的检测方案。

兴福电子成立于2008年11月14日，于2025年1月22日在上海证券交易所上市，注册地址为湖北省宜昌市，办公地址同样在湖北省宜昌市。该公司是国内湿电子化学品领域的领先企业，产品技术先进，具备全产业链优势。

兴福电子所属申万行业为电子 - 电子化学品Ⅱ - 电子化学品Ⅲ，涉及中芯国际概念、沪股通、磷化工等概念板块。公司目前主要从事湿电子化学品的研发、生产和销售，产品涵盖电子级磷酸、硫酸等通用湿电子化学品，以及蚀刻液、清洗剂等功能湿电子化学品。

2025年，兴福电子营业收入为14.75亿元，在行业11家公司中排名第8，低于行业平均数20.36亿元和中位数19.37亿元，行业第一名鼎龙股份为36.6亿元，第二名光华科技为29.64亿元。主营业务构成中，通用湿电子化学品占比74.13%，为10.93亿元。净利润方面，2025年为2.06亿元，行业排名第5，低于行业平均数2.84亿元，但高于中位数1.5亿元，行业第一名鼎龙股份为7.96亿元，第二名安集科技为7.84亿元。

湖北兴福电子材料股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种PTFE微孔折叠滤芯清洗方法发明专利公布CN202511994651.12025-12-26CN121668812A2026-03-17李少平、郭岚峰、杨着、刘洋、汪泳2一种高纯度氢氧化钾的制备方法发明专利公布CN202511932357.82025-12-19CN121757885A2026-03-31彭俊杰、欧阳克银、吴昊、王荣、王豪3一种通过一锅三步法反应合成有机硅稳定剂的方法发明专利公布CN202511901046.52025-12-16CN121851050A2026-04-14王震、冯凯、贺兆波、钟博文4一种炭化树脂中元素含量的检测方法发明专利公布CN202511888861.22025-12-15CN121540696A2026-02-17杨磊、曾远、贺兆波、李琴5一种高纯红磷中痕量杂质检测方法发明专利公布CN202511868003.12025-12-11CN121762666A2026-03-31曾远、杨磊、陈香蓉、贺兆波6一种高纯电子级硅基前驱体材料微量金属杂质检测前处理方法发明专利公布CN202511859439.42025-12-10CN121855989A2026-04-14李少平、万富强、杨着、贺兆波7一种检测强酸体系中微量四甲基氢氧化铵的方法发明专利公布CN202511859494.32025-12-10CN121856458A2026-04-14谭小龙、贺兆波、冯凯、李飞8一种适用于RDL工艺的剥膜液发明专利公布CN202511840165.42025-12-08CN121657383A2026-03-13郑秋曈、钟昌东、高楒羽、张宗萍9一种先进封装用无氰碱性电镀银添加剂的制备方法及其先进封装用银电镀液发明专利公布CN202511828947.62025-12-05CN121781231A2026-04-03李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超10先进封装用无氰碱性银电镀液及在电镀银上的应用发明专利公布CN202511828953.12025-12-05CN121802493A2026-04-07李少平、付艳梅、秦祥、杨铭、陈小超11一种低Ge含量的SiGe/Si选择性蚀刻液及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511820210.X2025-12-04CN121592351A2026-03-03余迪、尹印、马瑞、臧洋、崔会东12一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用发明专利公布CN202511820211.42025-12-04CN121780172A2026-04-03许真、张庭、贺兆波、李金航13一种利用FIB制备TEM样品薄片的交叉减薄方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810667.22025-12-03CN121703460A2026-03-20黄莉、曾远、徐泽、欧阳克银14一种氮化钛和钨的高选择比蚀刻液及蚀刻方法发明专利公布CN202511801501.42025-12-02CN121852056A2026-04-14钟昌东、贺兆波、徐子豪、张宗萍15一种四羟基四苯乙烯类光引发剂的制备方法及紫外线吸收剂发明专利公布CN202511801652.X2025-12-02CN121850908A2026-04-14黄仁兰、张诺诺、周钢翔、吴翔16一种低电阻硅蚀刻液发明专利公布CN202511801693.92025-12-02CN121852057A2026-04-14叶瑞、杨陈宗、尹印、贺兆波17一种高选择性金属蚀刻液及蚀刻方法发明专利公布CN202511801389.42025-12-02CN121852055A2026-04-14叶瑞、钟昌东、曾婷、高楒羽18一种高纯黄磷中痕量杂质的ICP-MS检测方法发明专利公布CN202511792309.32025-12-01CN121762665A2026-03-31李少平、曾远、贺兆波、李琴、杨磊19一种用于晶圆铝铜基的锌置换配方及工艺发明专利公布CN202511792514.X2025-12-01CN121802395A2026-04-07王蝶、秦祥、付艳梅、杨铭、罗海燕20一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液发明专利公布CN202511792228.32025-12-01CN121802420A2026-04-07钟博文、冯凯、王震、叶瑞21一种铜钛蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511782213.92025-11-29CN121653659A2026-03-13张玥、贺兆波、欧阳克银、钟昌东22长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511782122.52025-11-29CN121736760A2026-03-27李金航、张庭、罗海燕、刘春丽23一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511782209.22025-11-29CN121736761A2026-03-27杨陈宗、尹印、万杨阳、余迪24一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511782118.92025-11-29CN121736759A2026-03-27马瑞、尹印、余迪、臧洋25一种湿电子化学品用PFA瓶的清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511779494.22025-11-28CN121732518A2026-03-27陈曦、叶瑞、郭岚峰、刘洋、许明杰26一种选择性氮化钛蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511765268.92025-11-27CN121736756A2026-03-27杨俊伟、尹印、万杨阳、路明27一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511764914.X2025-11-27CN121736757A2026-03-27余建平、尹印、杨俊伟、叶瑞28一种强络合铜废水的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511732820.42025-11-24CN121470717A2026-02-06张宗萍、钟昌东、李文飞、欧阳克银29一种羟基磷灰石-氧化铈复合材料的制备方法及化学机械抛光液发明专利公布CN202511732814.92025-11-24CN121651303A2026-03-13邹哲敏、贺兆波、罗月、刘文戈30一种非离子型萘酰亚胺光酸衍生物及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511732818.72025-11-24CN121698806A2026-03-20粟鹏、周钢翔、吴翔、崔会东31一种电子级复合包装桶及制备方法与应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511722214.42025-11-21CN121404647A2026-01-27王洪杨、邹磊、杨着、周小龙32一种磺酸肟酯类光致产酸剂制备方法及用途发明专利公布CN202511721181.12025-11-21CN121673260A2026-03-17胡聪、周钢翔、吴翔、叶瑞33一种用于TGV玻璃通孔蚀刻的BOE溶液及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511712184.92025-11-20CN121494345A2026-02-10董攀飞、张庭、贺兆波、李金航34一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液发明专利公布CN202511712181.52025-11-20CN121780168A2026-04-03班昌胜、冯凯、李飞、李素云35一种3D NAND深孔结构蚀刻液及其制备方法与应用发明专利公布CN202511711837.12025-11-20CN121780170A2026-04-03李飞、冯凯、班昌胜、王书萍36一种膜分离耦合离子交换树脂的电子级磷酸制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511702497.62025-11-19CN121493891A2026-02-10胡杜娟、姜飞、贺兆波、陶瑞37高温选择性刻蚀氮化硅的蚀刻液及其制备方法发明专利公布CN202511703236.62025-11-19CN121780169A2026-04-03李素云、冯凯、李飞、严凡38一种用于不同锗含量SiGe叠层的高选择比蚀刻液及使用方法发明专利公布CN202511703434.22025-11-19CN121780167A2026-04-03臧洋、尹印、余迪、马瑞39石英蚀刻液及其蚀刻方法发明专利公布CN202511703242.12025-11-19CN121780171A2026-04-03杨翠翠、张庭、武昊冉、蒲帅40高选择性的钛硅氮/氮化钛蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511694499.52025-11-18CN121699612A2026-03-20严凡、冯凯、贺兆波、王勇军41超临界二氧化碳协同清洗电子级槽车系统与方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511684696.92025-11-17CN121491102A2026-02-10李少平、刘洋、杨着、郭岚峰、汪鳙42用于抑制金属钛蚀刻的蚀刻液及应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511684488.92025-11-17CN121699614A2026-03-20蒲帅、张庭、董攀飞、李金航43一种电子级HCl纯化系统及纯化方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511665017.32025-11-13CN121493870A2026-02-10吴春元、贺兆波、杨着、蔡俊霄44一种高稳定性、高致密性的化学镀磷钯液及其制备方法和应用发明专利公布CN202511655928.82025-11-12CN121653626A2026-03-13杨铭、秦祥、李文飞、王蝶45一种二氧化硅和钛的高选择性蚀刻液发明专利公布CN202511647087.62025-11-11CN121652807A2026-03-13武昊冉、张庭、李金航、许真、董攀飞46一种Micro LED用去胶液及其制备方法发明专利公布CN202511647088.02025-11-11CN121674161A2026-03-17黄锣锣、贺兆波、欧阳克银、钟昌东47一种用于金属钌的蚀刻后清洗剂及其制备方法发明专利公布CN202511637878.02025-11-10CN121653670A2026-03-13王亮、贺兆波、谢建、吴政48一种钼铟镓锌氧化物选择性蚀刻液发明专利实质审查的生效、公布CN202511637879.52025-11-10CN121718349A2026-03-24苏张轩、贺兆波、冯凯、严凡49一种高熔点电子级有机胺的提纯方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511628761.62025-11-07CN121517305A2026-02-13王荣、贺兆波、欧阳克银、吴昊50一种碳化有机物清洗液发明专利公布CN202511628981.92025-11-07CN121652892A2026-03-13李少平、万杨阳、尹印、张庭

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