北京
国家知识产权局信息显示，飞锃半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121865657A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基底；栅电极，所述栅电极包括第一栅电极掺杂区、第四栅电极掺杂区、第二栅电极掺杂区和第三栅电极掺杂区，所述第二栅电极掺杂区设置于所述第一栅电极掺杂区的第二端，所述第三栅电极掺杂区设置于所述第四栅电极掺杂区的第一端，所述第一栅电极掺杂区和所述第四栅电极掺杂区的掺杂类型相同，所述第二栅电极掺杂区和所述第三栅电极掺杂区的掺杂类型相同，所述第二栅电极掺杂区的掺杂类型与所述第一栅电极掺杂区的掺杂类型相反；栅极金属布线，电连接所述第一栅电极掺杂区和所述第三栅电极掺杂区；栅极金属焊盘，电连接所述第二栅电极掺杂区和所述第四栅电极掺杂区。
天眼查资料显示，飞锃半导体（上海）有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本408.1522万美元。通过天眼查大数据分析，飞锃半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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