北京
国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“一种化学气相沉积方法”的专利，公开号CN121826669A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请实施例公开一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括：提供化学气相沉积装置，化学气相沉积装置包括腔体和射频 signal源，射频信号源位于腔体外，腔体设置有射频信号输入端；射频信号源用于通过射频信号输入端向腔体内提供射频信号；提供半导体本体，并将半导体本体置于腔体内；向腔体内通入反应气体；其中，反应气体包括前躯体和形成等离子体所需的气体；通过射频信号源向腔体内通入射频信号；停止通入反应气体，并向腔体内继续通入射频信号；在半导体本体的表面形成预设膜层。本申请实施例的技术方案，可以减少化学气相沉积过程中缺陷的产生，提高形成半导体器件的质量。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31162.1464万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息230条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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