北京
国家知识产权局信息显示，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司申请一项名为“一种GaN基增强型高电子迁移率晶体管”的专利，公开号CN121772259A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN基增强型高电子迁移率晶体管，涉及微电子器件技术领域，包括：衬底；依次层叠于所述衬底上的缓冲层、沟道层和势垒层；位于所述势垒层上的p-GaN帽层。本发明的GaN基增强型高电子迁移率晶体管包含一联通结构，该联通结构一端与器件源极形成电学连接，另一端与器件栅极-漏极区域沟道形成肖特基接触。器件关态时，联通结构下方沟道电位与源极电位接近，避免了漏极高电压对p-GaN层的影响，缓解了p-GaN层电荷存储及电位浮动现象，从而提高器件阈值电压稳定性。器件反向导通时，联通结构处肖特基结在较低源-漏电压下即导通，提高了器件的反向导通能力，避免器件反向导通压降受到负栅压关断的影响。
天眼查资料显示，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司，成立于2023年，位于马鞍山市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，智诚尚芯（安徽）半导体有限公司共对外投资了1家企业，专利信息7条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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