存储巨头，万亿投资落地中国

来源：国际电子商情

随着全球AI浪潮推动存储需求爆发，韩国两大存储巨头三星电子与SK海力士也同步加大了中国核心生产基地投资，希望通过合计超1.5万亿韩元(约78亿元人民币)的投资，提升工艺，优化产能，巩固企业全球优势的同时，也对接中国高端存储的需求。

三星电子将投资重点放在西安工厂——其唯一海外NAND生产基地，承担三星全球NAND产能的40%以上，也是全球单个产能最高的NAND闪存工厂。据韩国金融监督院近日发布的数据显示，2024年重启对华投资后，三星投入持续加码，2025年向西安工厂投资4654亿韩元(约21.4亿元人民币)，较上年的2778亿韩元同比增长67.5%。

此次投资核心是推进工艺迭代，将主力制程从128层(第六代)NAND升级至236层(第八代)NAND，同时启动X2产线向280层V9 NAND转换，计划2026年二季度落地。得益于2026年美国商务部设备进口年度许可，三星有效规避审批风险，升级后西安工厂将聚焦AI服务器、企业级SSD等高附加值产品，成为其全球高端NAND核心基地。

SK海力士采取无锡DRAM、大连NAND双基地并行升级策略，2025年对华投资超1万亿韩元，为2022年收购英特尔大连工厂后首次万亿级大规模投入。其中，无锡工厂获5810亿韩元投资，同比增长102%，已完成1z工艺(第三代10nm级)向1a工艺(第四代)升级，90%产能完成转换，可量产DDR5、LPDDR5X等高规格产品，该工厂承担SK海力士全球30%至40%的DRAM产能，升级后成为高端DRAM核心基地，优先保障AI数据中心需求。

大连NAND工厂投资4406亿韩元，增长52%，新增资金主要用于产能升级与技术研发，聚焦高端存储芯片生产以匹配AI、数据中心需求，正推进321层第九代NAND产线转换。针对EUV设备限制，SK海力士采用“分段制造”策略，将关键光刻步骤放在韩国本土完成，再将晶圆运回无锡进行后续工序，破解技术管制难题。

双巨头加码中国工厂，核心驱动力源于AI技术演进推动高性能存储需求激增，2026年全球DRAM与NAND计划产量近乎售罄。中国作为全球最大存储芯片消费市场，2025年规模达4580亿元人民币，同比增长7.3%，AI基础设施投资持续加码，供需缺口显著。

瑞银证券预测，2026年全球半导体市场规模将同比增长超40%至1万亿美元，这一增长主要受存储涨价驱动，中国市场潜力成为巨头布局的重要支撑。

战略层面，业内人士指出，出于保护核心技术的考虑，海外工厂工艺通常较韩国本土落后约两代，但此次两大巨头直接切入第八代、第九代先进制程，既规避本土扩产风险，又能快速响应亚太市场需求。同时，中国拥有完整半导体产业链，可实现“本地化生产供应”，缩短交付周期，叠加产业扶持政策，为投资提供稳定预期。

展望未来，2026年二季度将是投资关键节点，三星西安X2产线、SK海力士先进NAND产线转换将逐步落地，全年持续推进设备导入与产能爬坡。在AI浪潮与产业链重构驱动下，两大巨头的中国布局，将推动中国成为全球半导体产业重要增长引擎与创新中心。

责编：Lefeng.shao