HBM 4，走向分叉点

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三星电子和SK海力士正在下一代高带宽内存（HBM4）市场展开激烈的竞争，力图占据主导地位。HBM4已成为人工智能时代的核心基础设施，这场竞争不仅是三星和SK争夺全球内存领导地位的较量，也关乎韩国经济的未来。HBM4市场可能会显著影响两家公司对人工智能未来的愿景，其影响范围不仅涵盖下一代内存技术，还包括整个供应链。

三星电子和 SK 海力士在推进下一代高带宽存储器 (HBM) 的逻辑（基础）芯片工艺方面，呈现出略有不同的立场。

三星电子计划积极采用超精细工艺，并将性能放在首位。SK海力士也在推进工艺微型化以满足客户需求，但其战略主要侧重于成本效益。市场关注的焦点在于这两家公司的战略性技术决策将如何塑造未来的市场格局及其带来的影响。

据业内人士11日透露，三星电子和SK海力士在开发下一代HBM逻辑芯片工艺方面采取了不同的策略。

三星电子致力于推进逻辑芯片工艺，并着手设计2纳米工艺。

逻辑芯片是负责HBM控制器功能的芯片。它位于核心芯片下方，核心芯片垂直堆叠着多个DRAM。逻辑芯片通过PHY（物理层）连接系统半导体，例如HBM和GPU，从而实现高速数据交换。

在HBM中，逻辑芯片的重要性日益凸显。随着HBM技术的演进，由于单引脚处理速度的提升和DRAM堆栈数量的增加，逻辑芯片的性能要求也必须随之提高。因此，从HBM4开始，三星电子和SK海力士正将逻辑芯片的生产从现有的DRAM工艺转移到更先进的代工工艺。

三星电子是目前在逻辑芯片领域积极采用先进工艺的公司。此前，三星电子计划在2023年左右将HBM4的逻辑芯片工艺从8纳米(nm)升级到4纳米。

此外，三星电子正在设计采用2nm工艺的逻辑芯片，为即将到来的定制化HBM时代做准备，而HBM4E将标志着这一时代的正式开启。2nm是一种尖端的晶圆代工工艺，已于去年下半年开始量产。据悉，系统LSI事业部内的定制SoC团队目前正在为每位客户开发优化的芯片。

一位知情人士强调：“HBM客户希望在下一代产品中实现更低的功耗和更高的带宽，而三星电子认为，解决这一问题的根本方法是推进逻辑芯片工艺的发展。”他补充道：“我们将在今年看到这项研究和开发的具体成果。”

SK海力士在为精细加工做准备的同时，专注于成本优化。

SK海力士正通过台湾领先的晶圆代工厂台积电进行逻辑芯片的量产。HBM4采用12nm工艺。

SK海力士也计划在其HBM4E芯片上采用3nm工艺。虽然该公司最初计划采用4nm工艺，但据报道，最近已将其工艺向上调整，以满足客户需求并提升性能。

然而，HBM4E产品并未显著反映客户需求，计划沿用现有HBM4的12nm工艺。尽管近期有批评指出HBM4的逻辑芯片性能落后于其主要竞争对手三星电子，但三星仍决定坚持使用现有工艺。

业内人士认为，SK海力士在逻辑芯片方面更注重成本优化，而非一味追求性能提升。事实上，据内部和外部消息来源称，SK海力士在推进HBM4E逻辑芯片工艺方面采取了较为保守的态度。相反，其战略是专注于其他领域的技术进步，例如新的封装方法。

一位知情人士表示：“SK海力士认为其目前的逻辑芯片工艺足以应对HBM4E。如果它意识到存在严重的性能问题，就会对工艺进行改进。”他还补充道：“与竞争对手不同，SK海力士认为快速改进逻辑芯片工艺并无益处。”

（来源：编译自zdnet）

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