北京
国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“西格玛沟槽的制作方法”的专利，公开号CN121548097A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种西格玛沟槽的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成栅氧化层与栅极结构，栅极结构包括依次形成于栅氧化层上栅极、第一掩膜层与第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜进行第一次刻蚀至第二掩膜层被去除，在栅极结构两侧的衬底内形成第一沟槽，刻蚀过程中由于第二掩膜层被刻蚀产生的聚合物聚集于第一沟槽侧壁的栅氧化层及其与栅极以及衬底的交界区域以作为刻蚀保护层；以第一掩膜层为掩膜进行第二次刻蚀，刻蚀保护层保护其覆盖的衬底不被侧向刻蚀，在第一沟槽内形成类西格玛沟槽。本发明通过第二掩膜层在第一次刻蚀中产生的聚合物在第一沟槽侧壁形成刻蚀保护层，避免该区域被过多刻蚀，避免该区域的严重侧推，从而更易于调控沟槽的形状。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目192次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息974条，此外企业还拥有行政许可56个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
