2026年首篇！南京大学王欣然团队时隔三个月再发《Science》

南大-苏州实验室在二维半导体领域再获重大突破

2026年1月30日，南京大学-苏州实验室王欣然教授、南京大学-苏州 实验室李涛涛副教授，东南大学-苏州 实验室王金兰教授（南大校友）为 论文联合通讯作者在《Science》发表题为“ Kinetic acceleration of MoS2 growth by oxy-metal-organic chemical vapor deposition ”的 研究成果。苏州实验室为本文的第一完成单位。 论文第一作者为苏州国家实验室博士后刘蕾（南京大学博士）、王玉树（南京大学博士）、董瑞康（东南大学博士）与南京大学集成电路学院博士后范东旭。

来自南大-东南-苏州实验室的联合科研团队开发了全新的氧辅助金属有机化学气相沉积（oxy-MOCVD）技术，解决了二维半导体量产化制备的动力学瓶颈。

二维半导体被视为突破晶体管微缩瓶颈,实现后摩尔集成电路跨越式发展的关键新材料.然而,其产业化长期面临大尺寸单晶制备困难,生长速度缓慢,杂质浓度高等挑战.研究团队创新性地提出氧-MOCVD技术,通过引入氧气参与前驱体预反应,从化学反应动力学源头加速材料生长,抑制杂质引入，实现了高质量二维半导体材料的高效，洁净生长。

图：6英寸MoS2单晶表征

该技术具备极佳的工艺兼容性与可控性，在国际上首次制备出具有大尺寸晶畴的6英寸二硫化钼(MoS2)单晶晶圆。晶畴面积相较传统MOCVD技术实现5个数量级以上的跨越，生长速率提升2-3个数量级。MoS2场效应晶体管室温电子迁移率平均达到101.3 cm2.V1.s1，最高达122.9cm2.V-1.s1，开关比达109，刷新了产业化技术制备的二维半导体性能纪录，实现了实验室高质量材料与工业级规模化的完美融合。

南京大学王欣然课题组在《Science》发文，稀土原子“点石成晶”！

2025年10月23日，南京大学集成电路学院教授王欣然、南京大学集成电路学院副教授李涛涛、苏州实验室研究员丁峰为共同通讯作者在全球顶级科研期刊《Science》发表了题为“Robust epitaxy of single-crystal transition-metal dichalcogenides on lanthanum-passivated sapphire”的研究论文。南京大学为论文第一完成单位。南京大学博士研究生邹茜璐为本文第一作者。

南京大学王欣然教授团队在国际上率先突破6英寸二维过渡金属硫族化合物半导体（以下简称二维半导体）单晶量产化制备技术。

编辑、审核：石瑾鹏

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