北京
国家知识产权局信息显示，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司申请一项名为“封装基板的制作方法、封装基板、玻璃基板及电子器件”的专利，公开号CN121419640A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请适用于半导体封装技术领域，提供了一种封装基板的制作方法、封装基板、玻璃基板及电子器件，制作方法包括：提供第一玻璃基板及第二玻璃基板，第一玻璃基板的第一表面形成有第一导电线路层，第二玻璃基板具有TGV孔；堆叠第一玻璃基板及第二玻璃基板以得到叠层玻璃基板，TGV孔露出第一导电线路层的至少一部分；将叠层玻璃基板置入蚀刻液中，以使TGV孔被刻蚀为梯形孔，沿第二玻璃基板到第一玻璃基板的方向，梯形孔的孔径逐渐变小。通过将第二玻璃基板的TGV孔进一步蚀刻为梯形孔，能有效降低后续在梯形孔内填充金属材料的难度，并有效防止填充的金属材料在第二玻璃基板的梯形孔内存在空隙的情况，提高产品良率。
天眼查资料显示，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司，成立于2021年，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1367.762万人民币。通过天眼查大数据分析，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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