北京
国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法”的专利，公开号CN121374420A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种改善双面抛光加工硅片厚度形貌倾斜的方法，所属半导体制造技术领域，包括如下操作步骤：第一步：抛光布在修整前进行测布厚。第二步：判断上盘和下盘的抛光布厚度均匀性状态。第三步：对确定的目标抛光布进行针对性修整。第四步：在修整后的抛光设备上加工一枚硅片，并测量抛光硅片的厚度形貌图。第五步，根据抛光硅片的厚度形貌图，调整双面抛光的工艺参数，确认修整效果。第六步，使用调整后的工艺参数进行正式的半导体硅片产品加工。具有操作便捷、主动诊断、精准修整和闭环验证的特点。通过精确测量和修整抛光布的厚度均匀性，从物理根源上纠正了导致硅片厚度倾斜的关键因素，从而显著提升了双面抛光的加工精度和稳定性。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息396条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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