800就800.来干新洁能

没错，今天又来跟大家说，要关注新洁能了，这票在碳化硅概念股里，算是涨的最少的那一只，这票在热门概念里涨得少，我觉得其实核心原因还是不够热点，股性相对差一点，但是胜在稳定，你们打开K线可以看到，这种行情下，一直没怎么掉下去，现在K线图上显示又是一个明显均线向上的上攻趋势，外加盘子不大，PE倍数在科技股里不高，不断涌现出来的小作文，其实都是这个票可能快要上攻的理由，不过该说不说的，现在的行情是真够无聊的，可能未来好几个月内，都不会再有像什么商业航天之类的主线了，过年前估计行情也不大，反正仓位不大的话，做波段我坚信在这个市场里还是赚得到钱的。就这样，多的不说，少的不唠，图放最后，还是那句，仅作为大家交流使用。

新洁能的产品主要包括 MOSFET、IGBT、PIM、SiC MOSFET 等多个系列，具体如下：

• MOSFET 产品无锡新洁能

  ：击穿电压覆盖 - 200V 至 300V，电流范围为 100mA 至 400A。产品类型丰富，有 12-300V N 沟道汽车 MOSFET、12-150V P 沟道汽车 MOSFET、500-1050V N 沟道汽车 MOSFET 等，还有普通的 12-300V N MOSFET、12-200V N 沟道沟槽 MOSFET、30-250V N 沟道 SGT-I MOSFET 等。

• IGBT 产品无锡新洁能

  ：新洁能的 IGBT 产品通过工艺与器件结构优化，在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡，能够大幅度提高系统效率。其新一代第七代微沟槽场截止技术 IGBT 产品，采用先进的微沟槽技术等，大幅提升器件电流密度，650V 产品电流密度可提升至 550A/cm² 以上。

• PIM 产品无锡新洁能

  ：以先进的 IGBT 芯片技术为基础，结合高可靠性的封装技术，推出全新的 IGBT 功率集成模块（PIM）系列产品。该系列产品包括 650V、750V、1200V 和 1700V 系列产品，并搭载了不同系列的 IGBT 芯片，可提供各种通用的封装外形和电路拓扑，满足工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域的应用要求。

• SiC MOSFET 产品无锡新洁能

  ：新洁能推出了第二代 SiC MOS 系列产品，电压范围为 650V-1700V。该系列产品基于第三代半导体碳化硅技术深度研发，具有卓越的性能，其雪崩耐量参数达到业界顶尖水平，可完美适配新能源汽车电驱、大功率充电模块、工业变频器等高频、高精度场景。

• 其他产品

  ：公司还推出了 GaN HEMT、功率模块、栅极驱动 IC、电源管理 IC、IPM 智能功率模块、MCU 等产品。

新洁能的产品优势核心在于技术壁垒深厚、性能对标国际龙头、品类全且高可靠，同时具备成本与本土化服务优势，适配新能源、汽车电子、工业控制等高端场景无锡新洁能。以下从多维度展开说明：

核心技术领先，工艺平台完整

1. 四大核心平台先发

   ：国内率先掌握超结技术并量产屏蔽栅、超结 MOSFET，最早在 12 英寸平台实现沟槽型与屏蔽栅 MOSFET 量产，同时拥有沟槽型、超结、屏蔽栅 MOSFET 及 IGBT 四大平台，电压覆盖 12V - 1700V，型号近 4000 款，可快速响应多领域差异化需求。

2. 先进工艺迭代快

   • SGT - III MOSFET：导通电阻降 20%+，ESD、短路能力升 10%+，EMI 更优，适配汽车电子、AI 服务器高频工况 无锡新洁能 。

   • 第七代 IGBT：微沟槽场截止技术，650V 产品电流密度达 550A/cm² 以上，导通与开关损耗平衡佳，效率显著提升。

   • SiC MOSFET（650V - 1700V）：第二代产品雪崩耐量顶尖，高温导通电阻优化，适配新能源汽车电驱、大功率充电，系统效率提升 30%+ 无锡新洁能 。

3. 第三代半导体布局

   ：SiC 已规模销售，GaN HEMT 完成可靠性测试，形成 “硅基 + 碳化硅 + 氮化镓” 全技术路线覆盖，契合高端场景升级需求。

产品

关键性能优势

应用适配

MOSFET（SGT / 超结等）

低导通电阻、快开关、宽 SOA、强雪崩耐量，HO 系列线性区短路能力升 50%，SOA 拓宽 30%+

汽车电子（AEC - Q101）、工业电源、AI 算力电源

IGBT

第七代技术兼顾导通压降与开关损耗，模块支持高功率转换，适配光伏储能逆变高效需求

光伏逆变器、工业变频、新能源汽车

SiC MOSFET

高温稳定性好，雪崩耐量顶尖，瞬态冲击鲁棒性强，适配高压高频场景 无锡新洁能

新能源汽车电驱、大功率充电桩

品质管控严格，车规与工业级认证齐全

1. 全流程质量管控

   ：从芯片代工（华虹宏力等）到封装测试，建立严格供应商机制与老化考核，产品一致性高，最高节温达 175℃。

2. 车规级认证加持

   ：多款 MOSFET、IGBT 通过 AEC - Q101，满足汽车电子长期稳定运行要求，加速进口替代。

1. 供应链稳定

   ：绑定华虹宏力等头部代工厂，12 英寸产能保障，规模效应下成本可控，性价比优于部分国际品牌。

2. 响应速度快

   ：本土化设计与服务，技术支持、样品交付、定制开发周期短，适配国内客户快速迭代需求。

3. 生态协同

   ：配套栅极驱动 IC、电源管理 IC、IPM 等，提供 “芯片 + 模块 + 驱动” 一体化解决方案，降低客户开发门槛。

1. 行业地位领先

   ：连续多年位列中国半导体功率器件十强，2021 年国内 MOSFET 销售额含国际厂商排名第 5，设计领域第一；2024 年入选全球半导体企业综合竞争力百强（本土功率设计唯一）。

2. 高端市场突破

   ：SGT - III 替代国际料号超千款，IGBT 在光伏储能批量供货，SiC 进入新能源汽车供应链，客户认可度持续提升。