没错,今天又来跟大家说,要关注新洁能了,这票在碳化硅概念股里,算是涨的最少的那一只,这票在热门概念里涨得少,我觉得其实核心原因还是不够热点,股性相对差一点,但是胜在稳定,你们打开K线可以看到,这种行情下,一直没怎么掉下去,现在K线图上显示又是一个明显均线向上的上攻趋势,外加盘子不大,PE倍数在科技股里不高,不断涌现出来的小作文,其实都是这个票可能快要上攻的理由,不过该说不说的,现在的行情是真够无聊的,可能未来好几个月内,都不会再有像什么商业航天之类的主线了,过年前估计行情也不大,反正仓位不大的话,做波段我坚信在这个市场里还是赚得到钱的。就这样,多的不说,少的不唠,图放最后,还是那句,仅作为大家交流使用。
新洁能的产品主要包括 MOSFET、IGBT、PIM、SiC MOSFET 等多个系列,具体如下:
- MOSFET 产品无锡新洁能
:击穿电压覆盖 - 200V 至 300V,电流范围为 100mA 至 400A。产品类型丰富,有 12-300V N 沟道汽车 MOSFET、12-150V P 沟道汽车 MOSFET、500-1050V N 沟道汽车 MOSFET 等,还有普通的 12-300V N MOSFET、12-200V N 沟道沟槽 MOSFET、30-250V N 沟道 SGT-I MOSFET 等。
- IGBT 产品无锡新洁能
:新洁能的 IGBT 产品通过工艺与器件结构优化,在导通压降与开关损耗之间做出了巧妙权衡,能够大幅度提高系统效率。其新一代第七代微沟槽场截止技术 IGBT 产品,采用先进的微沟槽技术等,大幅提升器件电流密度,650V 产品电流密度可提升至 550A/cm² 以上。
- PIM 产品无锡新洁能
:以先进的 IGBT 芯片技术为基础,结合高可靠性的封装技术,推出全新的 IGBT 功率集成模块(PIM)系列产品。该系列产品包括 650V、750V、1200V 和 1700V 系列产品,并搭载了不同系列的 IGBT 芯片,可提供各种通用的封装外形和电路拓扑,满足工业变频、工业逆变、新能源、汽车电子等领域的应用要求。
- SiC MOSFET 产品无锡新洁能
:新洁能推出了第二代 SiC MOS 系列产品,电压范围为 650V-1700V。该系列产品基于第三代半导体碳化硅技术深度研发,具有卓越的性能,其雪崩耐量参数达到业界顶尖水平,可完美适配新能源汽车电驱、大功率充电模块、工业变频器等高频、高精度场景。
- 其他产品
:公司还推出了 GaN HEMT、功率模块、栅极驱动 IC、电源管理 IC、IPM 智能功率模块、MCU 等产品。
新洁能的产品优势核心在于技术壁垒深厚、性能对标国际龙头、品类全且高可靠,同时具备成本与本土化服务优势,适配新能源、汽车电子、工业控制等高端场景无锡新洁能。以下从多维度展开说明:
核心技术领先,工艺平台完整
- 四大核心平台先发
:国内率先掌握超结技术并量产屏蔽栅、超结 MOSFET,最早在 12 英寸平台实现沟槽型与屏蔽栅 MOSFET 量产,同时拥有沟槽型、超结、屏蔽栅 MOSFET 及 IGBT 四大平台,电压覆盖 12V - 1700V,型号近 4000 款,可快速响应多领域差异化需求。
- 先进工艺迭代快
SGT - III MOSFET:导通电阻降 20%+,ESD、短路能力升 10%+,EMI 更优,适配汽车电子、AI 服务器高频工况 无锡新洁能 。
第七代 IGBT:微沟槽场截止技术,650V 产品电流密度达 550A/cm² 以上,导通与开关损耗平衡佳,效率显著提升。
SiC MOSFET(650V - 1700V):第二代产品雪崩耐量顶尖,高温导通电阻优化,适配新能源汽车电驱、大功率充电,系统效率提升 30%+ 无锡新洁能 。
- 第三代半导体布局
:SiC 已规模销售,GaN HEMT 完成可靠性测试,形成 “硅基 + 碳化硅 + 氮化镓” 全技术路线覆盖,契合高端场景升级需求。
产品
关键性能优势
应用适配
MOSFET(SGT / 超结等)
低导通电阻、快开关、宽 SOA、强雪崩耐量,HO 系列线性区短路能力升 50%,SOA 拓宽 30%+
汽车电子(AEC - Q101)、工业电源、AI 算力电源
IGBT
第七代技术兼顾导通压降与开关损耗,模块支持高功率转换,适配光伏储能逆变高效需求
光伏逆变器、工业变频、新能源汽车
SiC MOSFET
高温稳定性好,雪崩耐量顶尖,瞬态冲击鲁棒性强,适配高压高频场景 无锡新洁能
新能源汽车电驱、大功率充电桩
品质管控严格,车规与工业级认证齐全
- 全流程质量管控
:从芯片代工(华虹宏力等)到封装测试,建立严格供应商机制与老化考核,产品一致性高,最高节温达 175℃。
- 车规级认证加持
:多款 MOSFET、IGBT 通过 AEC - Q101,满足汽车电子长期稳定运行要求,加速进口替代。
- 供应链稳定
:绑定华虹宏力等头部代工厂,12 英寸产能保障,规模效应下成本可控,性价比优于部分国际品牌。
- 响应速度快
:本土化设计与服务,技术支持、样品交付、定制开发周期短,适配国内客户快速迭代需求。
- 生态协同
:配套栅极驱动 IC、电源管理 IC、IPM 等,提供 “芯片 + 模块 + 驱动” 一体化解决方案,降低客户开发门槛。
- 行业地位领先
:连续多年位列中国半导体功率器件十强,2021 年国内 MOSFET 销售额含国际厂商排名第 5,设计领域第一;2024 年入选全球半导体企业综合竞争力百强(本土功率设计唯一)。
- 高端市场突破
:SGT - III 替代国际料号超千款,IGBT 在光伏储能批量供货,SiC 进入新能源汽车供应链,客户认可度持续提升。
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