北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种具备光敏栅极的射频MOS器件及高速光电探测电路”的专利，公开号CN121310670A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种具备光敏栅极的射频MOS器件及高速光电探测电路，在传统的射频MOS的栅极上集成光敏层以形成光敏栅极，当近红外光信号照射至光敏栅极时，其产生的电子‑空穴对能够改变栅极电压，进而调制沟道电流，且短沟道区的设计有助于提升器件的截止频率，此外，T形形状的光敏栅极能够增加光敏层接收光信号的面积，从而提升器件的灵敏度并进一步降低器件的寄生电容，大幅度提高了射频MOS器件的带宽，仿真测试结果表明，在10GHz内噪声系数仅为0.8～1.2dB，远远低于传统的PIN或APD结构，将具备光敏栅极的射频MOS器件应用在高速光电探测电路时，其需要的工作偏压也远远低于传统PIN或APD结构，并且能够与CMOS工艺兼容，满足高速光通信系统的低功耗和高密度集成需求。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息217条，此外企业还拥有行政许可12个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
