北京
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“非易失性半导体存储装置”的专利，公开号CN121281580A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种非易失性半导体存储装置，所述非易失性半导体存储装置能以低成本进行高积层化。根据实施方式，非易失性半导体存储装置包含：多个第1布线层，互相分开积层；存储器柱，通过多个第1布线层；局部位线，连接在存储器柱；位线；多个第2布线层，互相分开积层；第1柱，通过多个第2布线层，连接着局部位线；第2柱，通过多个第2布线层，连接着位线且与第1柱连接；多个第3布线层，互相分开积层；及第3柱，通过多个第3布线层，连接着位线。多个第3布线层中的至少1个与局部位线连接。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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