北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“背照式图像传感器及其制备方法”的专利，公开号CN121262909A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，包括：衬底，衬底包括位于第一表面上，且沿平行于第一表面的第一方向交替排列的光电二极管及隔离结构；隔离结构包括沿背离衬底的第二方向交替层叠的SiB层及氧化层；光电二极管内包括沿背离衬底的第二方向排列的底部光敏区、中部光敏区、顶部光敏区；SiB层沿第一方向延伸并贯穿底部光敏区及顶部光敏区；底部光敏区及顶部光敏区包括沿第一方向间隔排列，且沿朝向衬底方向贯穿SiB层的SiAs层，中部光敏区包括沿第二方向延伸至顶部光敏区的SiP层。能够避免高能离子注入造成的衬底损伤，同时提高了BSI的量子效率。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目634次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1533条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
